[发明专利]生产MOS控制功率半导体组件的方法

权利要求书

1.一种生产MOS控制功率半导体组件(30，45)的方法，其特征在于：所述功率半导体组件(30，45)在共同的衬底(31，46)上包括多个组件单元(59)，它们布置成一个接一个，并且并联连接，双极晶体管由第一导电类型的集电极区(33，48)、第二导电类型的上部基区(32，47)和第一导电类型的发射区(37，49)组成，此发射区从上面嵌入基区(32，47)，并在每个组件单元(59)都有，控制双极晶体管的MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)处在发射极侧，此MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)包括第二导电类型的处在发射区(37，49)上面的源区(43，57)、第一导电类型的处在源区(43，57)与基区(32，47)之间的发射区(37，49)边缘的沟道区(42，56)和以绝缘方式处在沟道区(42，56)上面的栅电极(39，54)，其中构成了MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)的沟道宽度，而其中MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)的沟道宽度的构成是通过借助用于组件生产过程的其它掩蔽步骤中的一个掩蔽步骤非直接地完成的。

2.权利要求1的方法，其特征在于：使用把发射区(37)引入衬底(31)的掩蔽步骤来构成MOS沟道结构(39，42，43)的沟道宽度。

3.权利要求2的方法，其特征在于：使用了把发射区(37)引入衬底(31)的掩模(34)，此掩模有这样的一些剪切块(36)，它们布置在掩模开口(35)的边缘并且以这样的方式侧向向外伸出，以致所引入的发射区(37)在剪切块(36)区域有侧向向外伸出的凸块(38)；而其中这样来选择凸块(38)的长度，以便它侧向凸出到起码处在随后引入的发射区(43)以外。

4.权利要求3的方法，其特征在于：这样来选择凸块(38)的长度，以便它侧向凸出到起码处在随后引入的沟道区(42)以外，后者侧向与发射区(43)相连。

5.权利要求3和4中的一个权利要求的方法，其特征在于：MOS沟道结构(39，42，43)的沟道宽度由凸块(38)的数目和宽度来设置。

6.权利要求1的方法，其特征在于：在组件单元之间的衬底(46)顶侧上布置场氧化层(52)，并且在衬底(46)上构成场氧化层的掩蔽步骤被用来构成MOS沟道结构(54，56，57)的沟道宽度。

7.权利要求6的方法，其特征在于：使用在衬底(46)上构成场氧化层(52)的掩蔽步骤中所用的掩模，此掩模有从绕着组件单元的掩模区域的边缘开始，并以这种方式向内伸展的第一凸块(51)，以至绕着组件单元的所涂敷的场氧化物层(52)在第一凸块(51)区域内有向内伸展的第二凸块(53)，此第二凸块防止或阻止在随后步骤中要引入该源区的区域上形成源区(57)。

8.权利要求7的方法，其特征在于：MOS沟道结构(54，56，57)的沟道宽度由第二凸块(53)的数目和宽度来设置。

9.权利要求1的方法，其特征在于：使用在衬底上构成栅电极(60)的掩蔽步骤来构成MOS沟道结构的沟道宽度。

10.权利要求9的方法，其特征在于：使用在衬底上构成栅电极(60)的掩蔽步骤中所用的掩模(63)，此掩模有从绕着组件单元的掩模区域的边缘开始并以这种方式向内伸展的第一凸块(64)，以至绕着组件单元的所涂敷的栅电极(60)在剪切块(64)区域内有向内伸展的第二凸块，此第二凸块防止或阻止在随后步骤中要引入该源区的区域上形成沟道结构。

11.权利要求10的方法，其特征在于：MOS沟道结构的沟道宽度由第二凸块(53)的数目和宽度来设置。