[发明专利]集成电路封装用的芯片级球形格栅阵列

权利要求书

1．一种集成电路的封装，其特征在于它包括：

包括电子互连阵列的中间电路；

具有第一和第二侧面的至少一层非聚合物层，所述层的第一侧面与所述集成电路相结构耦合，所述层的第二侧面与所述中间电路相结构耦合。

2．如权利要求1所述的封装，其特征在于：所述的集成电路具有多个电接触部位，所述的接触部位与所述中间电路的所述电互连相电气耦合。

3．如权利要求2所述的封装，其特征在于：所述集成电路的所述电接触部位被引线焊接到所述中间电路的所述电互连上。

4．如权利要求2所述的封装，其特征在于：所述集成电路的所述电接触部位被热压焊接到所述中间电路的所述电互连上。

5．如权利要求1所述的封装，其特征在于：所述的非聚合物层是导电的，所述的非聚合物层被电耦合到所述集成电路上，形成供电或接地平面。

6．如权利要求1所述的封装，其特征在于：所述的非聚合物层是模量大于约1Mpsi的非聚合物支承结构。

7．如权利要求1所述的封装，其特征在于：所述的非聚合物层是由厚度约在4密耳至10密耳之间的金属箔组成的非聚合物支承结构。

8．如权利要求1所述的封装，其特征在于：所述的非聚合物层是由铜箔组成的非聚合物支承结构。

9．如权利要求1所述的封装，其特征在于进一步包括具有第一和第二侧的安装层，所述安装层的第一侧面与所述非聚合物层的第二侧面相结构耦合，所述安装层的第二侧面与所述中间电路相结构耦合。

10．如权利要求9所述的封装，其特征在于：所述的安装层是厚度约在1密耳至3密耳之间的聚酰亚胺层，所述的非聚合物层是厚度约在1微米至20微米之间的铜层。

11．如权利要求1所述的封装，其特征在于：所述的中间电路是柔性电路。

12．如权利要求1所述的封装，其特征在于：所述的中间电路具有第一和第二侧面，所述中间电路的第一侧面与所述非聚合物层的第二侧面相结构耦合；和

进一步包括多个与所述中间电路相电气耦合的焊球或焊柱；所述的多个焊球或焊柱与所述中间电路的第二侧面相结构耦合。

13．一种形成集成电路封装的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：

提供一包括电学互连阵列的中间电路；

提供具有第一和第二侧面的至少一层非聚合物层；所述非聚合物层的第一侧面适合于与所述集成电路相结构耦合；和

将所述非聚合物层的第二侧面结构耦合到所述中间电路上。

14．如权利要求13所述的方法，其特征在于进一步包括将所述集成电路在结构上耦合到所述非聚合物层的所述第一侧面上的步骤。

15．如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述的集成电路具有多个电接触部位，进一步包括将所述接触部位在电学上耦合到所述中间电路的所述电学互连上的步骤。

16．如权利要求14所述的方法，其特征在于：把所述接触部位电学耦合到所述电学互连上的步骤包括把所述集成电路的所述接触部位引线焊接或者热压焊接到所述中间电路的所述电学互连上的步骤。

17．如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述的非聚合物层是导电的，进一步包括把所述非聚合物支承结构电耦合到所述集成电路上，形成供电和接地平面的步骤。

18．如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述的非聚合物层是模量大于约1Mpsi的非聚合物支承结构。

19．如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述的非聚合物层是非聚合物支承结构，是厚度约在4密耳至10密耳之间的金属箔。

20．如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述的非聚合物层是包括铜箔的非聚合物支承结构。

21．如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述的非聚合物层是厚度约在1微米至20微米之间的铜层。

22．如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述的中间电路是柔性电路。