[发明专利]用于制作微力学传感器的方法

权利要求书

1.用于制作微力学传感器的方法，具有如下方法步骤：

a)第二层(5)或层序列被敷到为建立空腔(4)而含有的第一层(3)

  或层序列上，

b)借助一个掩膜，具有视以下方法步骤(c)和(d)而定的尺寸的

  开口(6)在第二层(5)中在待建立的空腔(4)的与层平面垂

  直投影的范围内被建立，

c)在应用这些开口的情况下，空腔(4)在第一层(3)或层序列中

  被蚀刻出，

d)封装层(7)被敷到第二层(5)上，据此，在不对空腔(4)进

  行充填的情况下使开口得以封装，

e)第二层中的开口(11)中的至少一个开口(11)被重新至少开得

  如此之大，使空腔被敞开，

f)该开口(11)借助一种与封装层(7)的材料不同的材料被重新

  封装，据此，使空腔得以封装。

2.按照权利要求1所述的方法，其中，在方法步骤d中，由硼磷硅玻璃(BPSG)构成的封装层(5)被设置。

3.按照权利要求1或2所述的方法，其中，在方法步骤f中进行金属溅射和/或电介质(12)淀积。

4.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中，方法步骤f须如此进行，使随后纳入空腔(4)的气体在室温下处于至高为2000N/m²的压力之下。

5.按照权利要求1至4之一所述的方法，其中，

a1)在方法步骤a之前，一个导电地被掺杂的区域(2)在由半导体材料构成的衬底(1)之上被建立并且第一层(3)或层序列在该区域(2)之上被建立，

a2)在方法步骤a中，第二层(5)或层序列至少局部地导电地被建立，

e1)在方法步骤e)中，使第二层(5)和被掺杂的区域(2)得到电接触的接触开口(8)同时被建立。

6.按照权利要求1至5之一所述的方法，其中，

在方法步骤a中，第二层作为绝对压力传感器的薄膜层被敷上，

在方法步骤b中，开口(6)是如此设置的，这些开口中的至少一个开口处在薄膜层(5)的不构成薄膜的部分中，

并且在方法步骤e中，一个开口(11)被选择，该开口处在薄膜(5)的不构成薄膜的部分中。

7.按照权利要求1至5之一所述的方法，其中，

第一层作为层序列被敷上，该层序列包括一层含有加速度传感器的质量部分的建有结构的层，

并且方法步骤c是如此被进行的，使该质量部分通过蚀刻被剩在空腔中。