[发明专利]磁阻头用双层磁交换的稳定化

权利要求书

1.一种用于数据存储系统中的磁阻头，其特征在于所述磁阻头包括：

磁阻传感器层；

沿磁阻传感器层长度放置并适应于对磁阻传感器层进行垂直偏置的软毗邻层；

在位于磁阻头的有源区内的磁阻传感器层和软毗邻层之间形成的间隔层；

形成与磁阻头的第一和第二两翼区域内的磁阻传感器层相接触的第一永磁体层，其中磁阻头的第一和第二两翼区域分别邻近磁阻头的有源区，并在该有源区的第一和第二侧上加以配置；以及

形成与磁阻头的第一和第二两翼区域中的软毗邻层相接触的第二永磁体层。

2.如权利要求1所述的磁阻头，其特征在于第一和第二永磁体层中的每一层都在第一和第二两翼区域中的磁阻传感器层和软毗邻层之间形成。

3.如权利要求2所述的磁阻头，其特征在于还包括在第一和第二两翼区域内的第一和第二永磁体层之间形成的一层低电阻率材料，其中所述低电阻率材料层的电阻率低于第一和第二永磁体层的电阻率，从而降低第一和第二两翼区域内磁阻头的电阻。

4.如权利要求3所述的磁阻头，其特征在于紧邻磁阻头有源区的第一和第二两翼区域部分内的第一永磁体层、低电阻率材料层和第二永磁体层的组合厚度基本上等于间隔层的厚度。

5.如权利要求4所述的磁阻头，其特征在于第二永磁体层和间隔层直接在软毗邻层的顶部形成，其中低电阻率材料层直接在第二永磁体层的顶部形成，第一永磁体层直接在低电阻率材料层的顶部形成，而磁阻传感器层则直接在第一永磁体层的顶部形成。

6.一种磁阻传感器，其特征在于包括：

在传感器的中央区域和毗邻传感器中央区域的第一和第二侧的传感器的第一和第二两翼区域中形成的磁阻元件层；

适应于对磁阻元件层进行垂直偏置并在传感器的中央区域和至少部分在传感器的第一和第二两翼区域中形成的软毗邻层；

与传感器中央区域内的磁阻元件层和软毗邻层中的每一层相接触并在其间形成的间隔层；

在传感器的第一和第二两翼区域内的磁阻元件层和软毗邻层之间形成的第一永磁体层，第一永磁体层铁磁耦合到软毗邻层；以及

在位于传感器的第一和第二两翼区域内的磁阻元件层和软毗邻层之间形成的第二永磁体层，第二永磁体层铁磁耦合到磁阻元件层。

7.如权利要求6所述的磁阻传感器，其特征在于还包括在传感器的第一和第二两翼区域内的第一永磁体层和第二永磁体层之间形成的一层低电阻率材料，其中所述低电阻率材料层的电阻率低于第一和第二永磁体层的电阻率，从而降低位于第一和第二两翼区域内磁阻传感器的电阻。

8.如权利要求7所述的磁阻传感器，其特征在于第二永磁体层与磁阻元件层直接接触形成，第一永磁体层与软毗邻层直接接触形成。

9.如权利要求8所述的磁阻传感器，其特征在于低电阻率材料层直接在第一永磁体层的顶部形成，第二永磁体层直接在低电阻率材料层的顶部形成。

10.如权利要求9所述的磁阻传感器，其特征在于紧邻磁阻传感器中央区域的第一和第二两翼区域部分内的第一永磁体层、低电阻率材料层与第二永磁体层的组合厚度基本上等于间隔层的厚度。

11.如权利要求7所述的磁阻传感器，其特征在于低电阻率材料层用作第二永磁体层的下层，以提高第二永磁体层的磁性。