[发明专利]稳定性提高的磁阻传感器无效
申请号: | 97182159.3 | 申请日: | 1997-09-04 |
公开(公告)号: | CN1254434A | 公开(公告)日: | 2000-05-24 |
发明(设计)人: | D·麦肯;A·B·约翰斯顿 | 申请(专利权)人: | 西加特技术有限公司 |
主分类号: | G11B5/29 | 分类号: | G11B5/29;G11B5/127;G11B5/147 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 张政权 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稳定性 提高 磁阻 传感器 | ||
1.一种磁性存储装置中的换能器,其特征在于包括:
具有有效区的细长磁阻元件;
在有效区的两侧上耦合到细长磁阻元件用以读取信息的第一和第二电触点;
靠近于细长磁阻元件的底部感应写磁极和共享屏蔽,所述磁阻元件具有主体区和靠近有效区的磁极尖端区,所述主体区和磁极尖端区由共享屏蔽中细长的凹槽来限定;以及
与底部感应写磁极和共享屏蔽隔开的顶部感应写头磁极,所述底部感应写磁极和共享屏蔽与磁极尖端区形成磁隙。
2.如权利要求1所述的换能器,其特征在于磁极尖端区包括由封闭畴耦合的多个磁畴,封闭畴的尺寸和形状基本上相同。
3.如权利要求1所述的换能器,其特征在于磁极尖端区包括具有封闭畴的多个磁畴,畴侧壁与细长磁阻元件的有效区隔开。
4.如权利要求1所述的换能器,其特征在于底部感应写磁极和共享屏蔽包括隔离主体区与磁极尖端区的相对凹槽。
5.如权利要求1所述的换能器,其特征在于主体区支撑导电线圈,所述导电线圈利用顶部感应写头磁极和底部感应写头磁极和共享屏蔽来写信息。
6.如权利要求1所述的换能器,其特征在于包括沿纵向隔开的多个底部感应写磁极和共享屏蔽,每个具有耦合到主体区的磁极尖端区。
7.如权利要求6所述的换能器,其特征在于多个磁极尖端区中的每一个都由凹槽来限定。
8.如权利要求6所述的换能器,其特征在于磁性存储装置包括磁带存储装置,换能器形成多通道磁带头。
9.如权利要求1所述的换能器,其特征在于磁性存储装置包括磁盘驱动器。
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