[发明专利]发光沸石无效
申请号: | 97190066.3 | 申请日: | 1997-01-27 |
公开(公告)号: | CN1178549A | 公开(公告)日: | 1998-04-08 |
发明(设计)人: | U·H·基纳斯特;V·U·韦勒 | 申请(专利权)人: | 菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79;C09K11/80 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,王忠忠 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 | ||
1.含有Ce3+离子的八面沸石型发光沸石,其中该沸石的Si/Al原子比在1.0-4.0范围,其特征在于该沸石还含有阳离子Sn+,其中n≥2,并且该沸石每单位晶胞中Ce3+离子量和Sn+离子量之和至少是16。
2.按照权利要求1的发光沸石,其中该沸石每单位晶胞的Sn+离子量至少是1。
3.按照权利要求1或2的发光沸石,其中每单位晶胞的Ce3+离子量至少是1。
4.按照一个或多个前述权利要求的发光沸石,其中阳离子Sn+包括La3+离子。
5.按照一个或多个前述权利要求的发光沸石,其中部分阳离子Sn+是在可见光区谱域发光的稀土离子。
6.按照权利要求5的发光沸石,其中在光谱的可见区域发光的稀土离子包括这样一些离子,它们属于由Tb3+离子和Eu3+离子形成的离子组合。
7.包括装有发光材料支座的发光屏,其中该发光材料包括按照一个或多个前述权利要求的发光沸石。
8.装有按照权利要求7的发光屏的低压汞放电灯。
9.制备按照权利要求1的发光沸石的方法,包括下面顺序的步骤:
-通过离子交换将阳离子Sn+引入Si/Al比为1.0-4.0的八面沸石型沸石中,
-加热该沸石,
-通过离子交换将Ce3+离子引入该沸石中,和
-加热该沸石。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于菲利浦电子有限公司,未经菲利浦电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/97190066.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:监测方法
- 下一篇:用于CT检查和尿路造影的X线造影剂