[发明专利]由芳香族聚酰胺和/或芳香族聚酰亚胺制成的薄膜以及使用该薄膜的磁性记录载体

说明书

技术领域

本发明涉及由芳香族聚酰胺和／或芳香族聚酰亚胺制成的薄膜。更具体地说，涉及由不卷曲、平面性优异的芳香族聚酰胺和／或芳香族聚酰亚胺制成的薄膜。

技术背景

由芳香族聚酰胺和／或芳香族聚酰亚胺制成的薄膜，因其优异的机械特性和耐热性，早就有人提出将其用于磁性记录载体用基膜、软印刷基板、热敏转移膜等用途。用于这些用途的基膜，要求具有平整的平面，而没有那些会影响制品加工时的产率或制品的功能的卷曲或皱纹。

特别是近年来，有人提出了将其作为能进行高密度记录的录像带或数据存储用磁带等磁性记录载体用基膜使用。在这些用途上，磁性层涂布后的干燥步骤或蒸汽沉积时会暴露于高温，但此时若发生卷曲或皱纹等平面性恶化，则要么使制品的卷曲姿态变得很难看，要么与磁头的接触恶化，因而有不能充分得到电磁变换特性等问题。

发明公开

本发明提供薄膜制造时不卷曲、即使在薄膜加工时或制品使用时的严酷条件下也没有卷曲等平面性恶化的薄膜。

本发明的目的可以用一种薄膜来达到，其特征在于该薄膜是由芳香族聚酰胺和／或芳香族聚酰亚胺制成的薄膜，在薄膜断面方向上用喇曼光谱求出的取向度最大值Pmax、最小值Pmin和平均取向度Pavr满足如下关系：

(Pmax-Pmin)／Pavr≤1．0

实施本发明的最佳方式

本发明的芳香族聚酰胺、较好的是如下通式(I)和／或通式(II)所示重复单元含量在50％(摩尔)以上，更好的是由70％(摩尔)以上组成：通式(I)通式(II)式中Ar₁、Ar₂、Ar₃可以列举诸如X、Y选自-O-、-CH₂-、-CO-、-SO₂-、-S-、-C(CH₃)₂-但不限于此。此外，还包括这些芳香环上的氢原子有一部分被氯、氟、溴等卤素基(特别是氯)、硝基、甲基、乙基、丙基等烷基(特别是甲基)、乙氧基、甲氧基、丙氧基、异丙氧基等烷氧基等取代了的，而且也包括构成聚合物的酰胺键中的氢被其它取代基取代了的。

从特性方面来看，较好的是上述芳香环在对位上连接的占全部芳香环的50％以上，更好的是占75％以上的聚合物，因为这样可以得到热尺寸稳定性的、弹性模量高的薄膜。而且，如果芳香环上的部分氢原子被卤素基(尤其是氯)取代了的芳香环为总数的30％以上、较好在50％以上，更好地在70％以上，则由于吸湿率变小而较好。

本发明的芳香族聚酰胺，是通式(I)和／或通式(II)所示重复单元含量在50％(摩尔)以上的，其余不足50％(摩尔)既可以是共聚的也可以是掺合的其它重复单元。

本发明中的芳香族聚酰亚胺是聚合物的重复单元中含有一个以上芳香环和酰亚胺环者，且通式(III)和／或通式(IV)所示重复单元含量较好在50％(摩尔)以上，更好的是在70％(摩尔)以上。

通式(III)通式(IV)式中Ar₄、Ar₆含有至少一个芳香环，且形成酰亚胺环的两个羰基连接在芳香环上的邻位碳原子上。这个Ar₄来源于芳香族四羧酸或其酐。作为代表性实例，可以列举如下基团，式中Z选自-O-、-CH₂-、-CO-、-SO₂-、-S-、-C(CH₃)₂-等，但不限于此。

而Ar₆来源于羧酸酐或其酰卤。Ar₅、Ar₇可以列举诸如且X、Y选自-O-、-CH₂-、-CO-、-SO₂-、-S-、-C(CH₃)₂-等，但不限于此。此外，还包括这些芳香环上的部分氢原子被氯、氟、溴等卤素基(特别是氯)、硝基、甲基、乙基、丙基等烷基(特别是甲基)、乙氧基、甲氧基、丙氧基、异丙氧基等烷氧基等取代了的，而且也包括构成聚合物的酰胺键中的氢被其它取代基取代了的。

本发明的芳香族聚酰亚胺含有50％(摩尔)以上的通式(III)和／或通式(IV)所示的重复单元，其余不足50％(摩尔)可以是共聚的或掺合的其它重复单元。

而且，本发明的芳香族聚酰胺和／或芳香族聚酰亚胺中，在无损于薄膜物理性能的范围内，也可以掺合润滑剂、抗氧剂及其它添加剂等。