[发明专利]溅射靶,用其制成的抗铁磁材料膜和磁阻效应器件有效

申请号：	97191773.6	申请日：	1997-11-20
公开（公告）号：	CN1209847A	公开（公告）日：	1999-03-03
发明（设计）人：	山野辺尚;藤冈直美;石上隆;胜井信雄;福家广美;齐藤和浩;岩崎仁志;渡辺高志;佐桥政司	申请（专利权）人：	东芝株式会社
主分类号：	C23C14/34	分类号：	C23C14/34;C23C14/14
代理公司：	永新专利商标代理有限公司	代理人：	甘玲
地址：	日本神***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	溅射制成抗铁磁材料磁阻效应器件
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【权利要求书】：

1、一种溅射靶，主要包括Mn和至少一种选自下列一组元素中的R元素：Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re，其中，该溅射靶包括选自由R元素和Mn形成的合金相和化合物相中的至少一种相作为靶结构的至少一部分。

2、一种溅射靶，主要包括Mn和至少一种选自下列一组元素中的R元素：Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re，其中，该溅射靶包括选自由R元素和Mn形成的合金相和化合物相中的至少一种相作为靶结构的至少一部分，并且该溅射靶的氧含量小于等于1wt％(包括0)。

3、根据权利要求1或2的溅射靶，其中非形成合金相和化合物相的Mn的最大颗粒直径小于等于50μm，而其平均颗粒直径在10～40μm范围内。

4、一种溅射靶，主要由Mn和至少一种选自下列一组元素中的R元素组成：Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re，

其中，该溅射靶的氧含量小于等于1wt％(包括0)。

5、根据权利要求2或4的溅射靶，其中溅射靶的碳含量小于等于0.3wt％(包括0)。

6、根据权利要求1～5之任意一项的溅射靶，其中所述溅射靶的相对密度大于等于90％。

7、根据权利要求1～5之任意一项的溅射靶，其中该溅射靶含有30at％或更高的Mn。

8、根据权利要求1～5之任意一项的溅射靶，还包括至少一种选自下列一组元素中的元素：Be、Ti、Zr、Hf、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn和N。

9、一种抗铁磁材料膜，它是通过使用权利要求1～8之任意一项所述的溅射靶的溅射方法成膜的。

10、一种包括权利要求9所述的抗铁磁材料膜的磁阻效应器件。

11、一种磁阻效应器件，包括权利要求9所述的抗铁磁材料膜和与该抗铁磁材料膜交互耦合的铁磁材料膜。

12、一种磁阻效应器件，包括权利要求9所述的抗铁磁材料膜、与该抗铁磁材料交互耦合的第一铁磁材料层、以及通过非磁层堆叠于第一铁磁材料层的第二铁磁材料层。

13、一种包括权利要求10～12之任意一项所述的磁阻效应器件的磁头。