[发明专利]电容数据卡及其读出装置无效
申请号: | 97191980.1 | 申请日: | 1997-01-31 |
公开(公告)号: | CN1210603A | 公开(公告)日: | 1999-03-10 |
发明(设计)人: | 粟野好一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东京机械电子 |
主分类号: | G06K19/08 | 分类号: | G06K19/08;G06K17/00;G07F7/08;B42D15/10 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 文琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 数据 及其 读出 装置 | ||
技术领域
本发明是有关在卡片回路中装入熔丝,通过这个熔丝的状态来显示数据位数的电容数据卡的改进及其读出装置。
技术背景
在公用电话、停车计时器、自动售货机和交通工具等多方应用场所,多数使用不用找钱的数据卡(下称预付卡),它不仅方便了使用者,而且由于受卡机不处理现金,也可避免以偷盗为目的破坏等受害事件发生,从而也有延长其装置寿命的好处。
在这种预付卡中,作为低价节能的数据卡来说,以由具有电容的回路一部份组成的电容数据卡一直被人们所注目。这种电容型预付卡是于1981年7月21日以美国专利No.4280119登记注册的。
此外于1995年5月26日,又在国际申请WO95/14285的申请书中记载了这种预付卡系统,它是在电容数据卡的回路中装入熔丝,当熔丝处于完整状态下,电流处于通过状态,而当熔丝处于溃断状态时,由于增大了实际电阻,从而形成了根据熔丝的电阻状态而显示位数的系统。
这种电容数据卡如图14所示,它是由卡片部1和在读出装置上所形成的传感部2成为一体,从而可使其形成最初带电容的回路3。
在卡片部1中,设有电阻R1和形成与该电阻R1各端接线连接的电容一部份的电极部1a、1b,而在传感部2设有形成与电源4的各端子接线连接的电容一部份的电极部2a、2b,当卡片部1和传感部2相装配时,如图所示,在各电极部之间则形成充具有夹着空气的空气电容3a,3b的回路。
这样,在被形成的回路3中,当在电阻R1上通过高压电流而被烧断时,则使用结束,而在未烧断的状态下,则成为未使用的位数,在一个闭合回路给一个位数的信号。因此,根据任意个数的闭合回路,即可形成可以记忆所需位数信号的数据卡。
然而,上述现有的电容数据卡,由于电阻R1被烧断需将位数从未使用变更为使用状态,所以这个反数据的再生很不容易。因此,由于数据不容易再生,所以有防止窜改而可靠性高的优点,但在卡片上更改记忆数据却受到一定限制,其利用价值也不能充分发挥。
本发明就是鉴于上述现状,提供一种利用价值高且可靠性好的电容数据卡及其读出装置。
发明目的
为达到上述目的,权利要求1所述的电容数据卡特征是,在卡内回路内装入熔丝,当熔丝处于完整状态时,电流处于通过状态,而当熔丝处于溃断状态下,由于增加了实际电阻,因此,根据熔丝的电阻状态,即形成了对电容数据位数进行记忆的电容记忆领域和对磁数据进行记忆的磁记忆领域。
权利要求2所述的电容数据卡特征是,设有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域。在上述电容记忆领域,设有将卡片记忆的等价剩余量的概算,通过位数量显示出概算剩余量的记忆构件。
权利要求3所述的电容数据卡特征是,备有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域,在薄板状基板表面,设有形成上述磁记忆领域的层,同时在这个形成磁记忆领域层的表面,再将上述形成电容记忆领域的层积层。
权利要求4所述的电容数据卡特征是,备有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域,并在薄板状基板的一面侧设有形成上述电容记忆领域层的同时,而在上述薄板状基板的另一面侧,也可设有形成磁记忆领域的层。这种情况如权利要求5所述,在上述电容记忆领域层和磁记忆领域层的各表面侧上,再积一层由聚乙烯薄膜形成的薄膜状涂层,主要是为防止基板用反。
同时本发明也可将磁记忆领域所记忆的数据,如权利要求6所述,使其记忆在公知的IC芯片上,从而可形成电容数据卡。
而在权利要求7所述的电容数据卡读出装置特征是,其构成为:设有使数据记忆在电容数据卡的电容记忆领域中,或将记忆在同领域中的数据读出的第1输入输出构件,以及将数据记忆入磁记忆领域,或将记忆在同领域中的数据读出的第2输入输出构件。
在权利要求8所述的电容数据卡读出装置特征是,其构成为:设有使数据记忆在电容数据卡的电容记忆领域中,或将记忆在同领域中的数据读出的第1输入输出构件,将数据记忆在上述磁记忆领域中,或将记忆在同领域中的数据读出的第2输入输出构件,以及从上述电容记忆领域所读出的数据为预定的情况下,无论记忆在上述磁记忆领域的数据,都判断卡片无效的检索构件。
附图简要说明
图1是表示本发明第1实施例的电容数据卡的图;
图2是表示本实施例的电容记忆领域的回路构成方框图;
图3是表示本实施例的电容数据卡读出装置输入输出部的图;
图4是表示本实施例电容数据卡读出装置输入输出的处理部构成方框图;
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