[发明专利]电子部件和半导体装置、其制造方法和装配方法、电路基板与电子设备

权利要求书

1、一种半导体装置的制造方法，具有：

准备形成电极的圆片的工序；

为成为避开上述电极的至少一部分的状态，在上述圆片上设置应力缓冲层的工序；

从上述电极起直到上述应力缓冲层的上边形成布线的工序；

在上述应力缓冲层的上方形成与上述布线连接的外部电极的工序；以及

将上述圆片切断成各个小片的工序。

2、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，

作为上述应力缓冲层，使用杨氏模量为1×10¹⁰Pa以下的树脂。

3、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，

在设置上述应力缓冲层的工序中，采用在包括上述电极在内的上述圆片上涂覆感光性树脂，并除去与上述感光性树脂的上述电极对应的区域的办法，设置上述应力缓冲层。

4、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，

上述应力缓冲层，通过印刷构成该应力缓冲层的树脂来进行设置。

5、根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征是，

上述感光性树脂，使用聚酰亚胺系、硅酮系、环氧树脂系之中的一种树脂。

6、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，

上述应力缓冲层，是把形成了与上述电极对应的孔穴的平板粘接到上述圆片上来进行设置。

上述平板，具有在上述半导体芯片与装配该半导体芯片的基板之间的热膨胀系数。

7、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，

上述应力缓冲层，由平板状的树脂构成，把上述平板状的树脂粘接于上述圆片上来进行设置。

8、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，

在准备上述圆片的工序中使用的圆片，在除去上述电极和上述切断工序中切断的区域以外的区域上，形成绝缘膜。

9、根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征是，在形成上述布线工序之前，具有使上述应力缓冲层的表面粗糙的工序。

10、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，在形成上述外部电极的工序之后，且在上述切断的工序之前，具有：

在上述外部电极的形成面上连同包括上述外部电极，涂覆感光性树脂并进行成膜的工序；以及

对上述感光性树脂进行各向同性的蚀刻，直到露出上述外部电极的工序。

11、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，在形成上述外部电极的工序之后，且在上述切断的工序之前，具有在上述外部电极的形成面上连同包括上述外部电极，涂覆有机膜并成膜的工序。

12、根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征是，在上述有机膜上，使用加热时因化学反应，使残渣变为热可塑性高分子树脂的焊剂。

13、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，上述布线，在上述应力缓冲层上进行弯曲而构成。

14、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，在上述布线与上述电极的连接部分，上述布线的宽度比上述电极的宽度还大。

15、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，在形成上述应力缓冲层，而且，在上述应力缓冲层的上边形成上述布线后，在上述布线的上边用无电解电镀法形成焊料部分，把上述焊料部分成型加工为上述外部电极。

16、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，

包括：

形成上述应力缓冲层，在该应力缓冲层的上边形成导电层的工序；

在上述导电层的上边，用电镀法形成焊料部分的工序；

把上述导电层加工为上述布线的工序；以及

把上述焊料部分成型加工为上述外部电极的工序。

17、根据权利要求15或16所述的半导体装置的制造方法，其特征是，包括：在避开上述外部电极的区域中，在上述布线的上边形成保护膜的工序。