[发明专利]可分断式连接桥(断路器)和可连接式线路中断器(连通器),以及用于制造与启动断路器和连通器的方法

权利要求书

1．可分断式连接桥(断路器)，有一个电学上导电的导电线路，该导电线路被形成在第一种导电类型的半导体材料构成的衬底中，该导电线路在它的纵向范围内是完全连续的，有一个相对它的纵向方向而言事先确定的横向宽度(m)，并且是与第一种导电类型相反的第二种导电类型，其中第一种导电类型的半导体材料与导电线路材料相对比有这样的一种浓度，即在一个事先确定的启动温度下，该温度高于连接桥的工作温度，在横跨导体线路的整个宽度(m)上出现一个阻断，它是作为第一种导电类型的半导体材料和/或第二种导电类型的导电线路材料的扩散结果而发生的。

2．根据权利要求1的连接桥，其特征为，该导电线路被指定为一种扩散区(7,8)，该扩散区被形成在半导体材料构成的衬底中，并且是用第一种导电类型的杂质通过掺杂而形成的。

3．根据权利要求2的连接桥，其特征为，第一种导电类型的，通过用杂质掺杂被形成的扩散区(7,8)，被形成在第二种导电类型的导电线路的两边，与扩散区(7,8)的尺寸相比这第二种导电类型的导电线路有一个较小的宽度(m)。

4．根据权利要求1至3的连接桥，其特征为，第二种导电类型的导电线路是通过用一种掺杂元素的掺杂被形成的，它的掺杂浓度低于第一种导电类型的扩散区(7,8)的杂质的掺杂浓度。

5．根据权利要求1至4的连接桥，其特征为，一个启动区(30)，它包括部分导电线路和部分半导体材料和/或扩散区(7,8)，它被一个电学上绝缘的覆盖层(4)所覆盖，该覆盖层被形成在衬底的主表面(31)上，并且对于为了局部加热启动区(30)的一个事先确定了波长的辐照是透明的或至少是半透明的。

6．根据权利要求1至5的连接桥，其特征为，第二种导电类型的导电线路被安置在或被形成在半导体材料构成的衬底中，从衬底主表面(31)开始的一个事先确定的深度上。

7．根据权利要求6的连接桥，其特征为，形成在衬底中的导电线路，就其纵向尺寸而言它本质上对于衬底的主表面(31)是横向排布的。

8．根据权利要求1至7的连接桥，其特征为，导电线路被设计为借助适当的掺杂使其有电阻性线路的形式，为了启动连接桥的目的，在它负荷一个电流时将被加热。

9．具有被形成在半导体材料构成的衬底中的、电学上导电的导电线路(23)的可连接的线路中断器(连通器)，所说的导电线路通过用杂质掺杂将被形成，并且有第一种导电类型的导电线路块(24,25,32,33)，它们形成了一个缝隙(26)，沿其纵向范围有一个事先确定了的距离，连通器有一个扩散区(28)，它至少充满导电线路块(24,25,32,33)的缝隙(26)区域，并且是与第一种导电类型相反的第二种导电类型，其中导电线路块(24,25,32,33)的杂质有这样的一个掺杂浓度对于半导体材料衬底(29)有一个事先确定了的扩散常数，即在一个事先确定的启动温度，在横跨导体线路的缝隙(26)的整个间距上实施导电线路块(24,25,32,33)的杂质的扩散，而启动温度高于线路中断器的工作温度。

10．根据权利要求9的线路中断器，其特征为，第二种导电类型的扩散区(28)用掺杂元素通过掺杂被形成，它的掺杂浓度总体上低于第一种导电类型的导电线路块(24,25,32,33)的杂质浓度。

11．根据权利要求9或10的线路中断器，其特征为，启动区(30)有一个至少重复两次的pn结，pn结是由导电线路块(24,25,32,33)和扩散区(28)形成的，扩散区(28)充满了导电线路块(24,25,32,33)之间的缝隙(26)。

12．根据权利要求11的线路中断器，其特征为，导电线路块(24,25,32,33)及扩散区(28)被用电学上绝缘的覆盖层(4)覆盖起来，此绝缘层被形成在衬底(29)的主表面(31)上，并且对于一个事先确定了波长的、用于局部加热启动区(30)的辐照是透明的或至少是半透明的。

13．根据权利要求12的线路中断器，其特征为，至少部分导电线路块(24,25,32,33)被安置或被形成在半导体材料构成的衬底中，位于一个从衬底的主表面(31)开始的事先确定的深度。