[发明专利]制造锗掺杂的二氧化硅用的原料及制造方法

权利要求书

1．一种制造二氧化硅用的原料，由硅氧烷和醇盐锗组成。

2．根据权利要求1所述的制造二氧化硅用的原料，由八甲基环四硅氧烷和醇盐锗组成。

3．根据权利要求1所述的制造二氧化硅用的原料，由八甲基环四硅氧烷和乙醇锗组成。

4．根据权利要求1所述的制造二氧化硅用的原料，由八甲基环四硅氧烷和甲醇锗组成。

5．一种制造二氧化硅用的原料，基本上由硅氧烷和醇盐锗组成。

6．根据权利要求5所述的制造二氧化硅用的原料，基本上由硅氧烷和乙醇锗组成。

7．根据权利要求6所述的制造二氧化硅用的原料，基本上由八甲基环四硅氧烷和醇盐锗组成。

8．一种制造光学波导二氧化硅用的原料，由八甲基环四硅氧烷和乙醇锗组成。

9．一种通过八甲基环四硅氧烷和乙醇锗的转变制造的掺杂有锗的石英玻璃。

10．一种制造二氧化硅用的原料，由硅氧烷和双金属有机锗烷基组成。

11．根据权利要求10所述的制造二氧化硅用的原料，由硅氧烷和乙锗烷组成。

12．根据权利要求10所述的制造二氧化硅用的原料，由硅氧烷和乙锗氧烷组成。

13．一种制造二氧化硅的原料，其包括硅氧烷和烷基醇盐锗组成。

14．一种制造二氧化硅用的原料，由硅氧烷和烷基锗组成。

15．一种制备低损失的光学波导预成形品的方法，包括：

(a)提供一种流体原料，该原料由硅氧烷和醇盐锗组成；

(b)将所述流体原料输送至一转变部位；

(c)将所述输送的流体原料转变成GeO₂掺杂的SiO₂烟灰；

(d)将所述GeO₂掺杂的SiO₂烟灰沉积在沉积表面上；和

(e)将所述沉积的GeO₂掺杂的SiO₂烟灰制造光学波导预成形品。

16．根据权利要求15所述的方法，其中提供含硅氧烷和醇盐锗的流体原料的步骤进一步是提供含八甲基环四硅氧烷和醇盐锗的流体原料的步骤。

17．根据权利要求16所述的方法，其中提供含八甲基环四硅氧烷和醇盐锗的流体原料的步骤进一步是提供含八甲基环四硅氧烷和乙醇锗的流体原料的步骤。

18．根据权利要求17所述的方法，其中提供含八甲基环四硅氧烷和乙醇锗的流体原料的步骤还包括使液体八甲基环四硅氧烷和液体乙醇锗混合的步骤。

19．根据权利要求18所述的方法，其中输送所述流体原料的步骤还包括使所述液体原料汽化的步骤。

20．根据权利要求15所述的方法，其中将所述沉积的GeO₂掺杂的SiO₂烟灰制造光学波导预成形品的步骤还包括用SiO₂对所述GeO₂掺杂的SiO₂烟灰进行包层的步骤。

21．根据权利要求20所述的方法，其中用SiO₂对所述GeO₂掺杂的SiO₂烟灰进行包层的步骤还包括提供硅氧烷作为流体原料，将所述流体硅氧烷原料输送至转变部位，并将所述输送的流体硅氧烷原料转变成SiO₂烟灰这些步骤。

22．一种制备低损失波导光纤的方法，包括：

(a)提供一种流体原料，该原料由硅氧烷和醇盐锗组成；

(b)将所述流体原料输送至上转变部位；

(c)将所述输送的流体原料转变成GeO₂掺杂的SiO₂烟灰；

(d)将所述GeO₂掺杂的SiO₂烟灰沉积在沉积表面上；

(e)将所述沉积的GeO₂掺杂的SiO₂烟灰制造光学波导预成形品；    

(f)将所述光学波导预成形品拉制成光纤。