[发明专利]用于制作集成电路中的二氧化硅和硅玻璃层的方法和装置

权利要求书

1、一种在衬底(5,71)上制造二氧化硅或硅玻璃薄膜的方法，所述方法的特征在于包括下列步骤：

(a)提供包括二氧化硅键的液体前体(64)；

(b)将所述衬底(5,71)放入封闭沉淀室(2)中；

(c)产生所述液体前体的雾气(66)；

(d)使所述雾气流过所述沉淀室，以便在所述衬底上形成前体液体层；及

(e)处理沉淀在所述衬底上的液体层，以形成硅材料的固体膜(1224,77)，硅材料是从包括二氧化硅和硅玻璃的组中选择出来的。

2、如权利要求1的方法，其中在将所述沉淀室维持在室温时进行所述雾气流动步骤。

3、如权利要求1的方法，其中所述硅材料形成集成电路(100)的一部分，所述方法还包括完成所述集成电路的制造的步骤，以便至少包括一部分硅材料来作为集成电路中的电子设备(76)的绝缘体(77)。

4、如权利要求1的方法，其中所述液体前体包括溶剂中的烃氧化金属。

5、如权利要求1的方法，其中所述液体前体包括溶剂中的羧化金属。

6、如权利要求1的方法，其中在维持沉淀室处于真空时进行将所述雾气流入所述沉淀室的步骤。

7、如权利要求1的方法，其中所述雾气流动步骤包括将所述雾气注射到所述沉淀室(2)中，使雾气非常接近并围绕在所述衬底(5)一侧的周围，以及在非常接近并围绕在所述衬底的相对侧的区域将所述雾气从所述沉淀室排出去，以产生基本上均匀分布的雾气流来穿过衬底。

8、如权利要求1的方法，其中所述衬底(5)的表面定义衬底平面，并且所述雾气在所述衬底和位于所述沉淀室(2)中的挡板(6)之间流动，所述挡板相距所述衬底一定间隔并与所述衬底平面平行。

9、如权利要求8的方法，其中所述挡板是可调的，以改变挡板和衬底之间的距离。

10、如权利要求1的方法，包括另外的步骤，即在所述雾气流过所述衬底时在与所述衬底的表面平行的平面里旋转所述衬底。

11、如权利要求1的方法，包括另外的步骤，即在所述雾气流过沉淀室时将紫外辐射施加到所述雾气上。

12、如权利要求1的方法，包括在所述沉淀室和所述衬底之间施加一直流偏压。

13、如权利要求1的方法，其中所述处理步骤包括下列一个或多个步骤：干燥、烘干及退火沉淀在所述衬底上的所述层。

14、如权利要求13的方法，其中所述干燥步骤包括在所述沉淀室里维持次大气压压力。

15、如权利要求1的方法，其中所述液体前体包括溶剂中的金属成份，所述溶剂从包括二甲苯、2-甲氧基乙酸、n-正辛烷及n-乙酸正丁的组中选出来。