[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1、一种半导体激光器，它至少包括一个活性和一个杂质浓度至少为1×10¹⁸cm^-3左右的饱和吸收层，

其中饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3％或更多并且压缩应变量设定得使对饱和吸收层的光限制系数为3％左右或更大。

2、根据权利要求1的半导体激光器，其中在活性层和饱和吸收层之间设置了一个其上下侧夹在两包层之间的导光层。

3、根据权利要求2的半导体激光器，其中的包层具有p型导电性，并且其厚度约为900埃或更厚。

4、一种半导体激光器，它至少包括一个活性层和一个杂质浓度至少1×10¹⁸cm^-3左右的饱和吸收层，

其中饱和吸收层中的压缩应变量被设定为一个比活性层中的压缩应变值大的值，使得对饱和吸收层的光限制系数为3％左右或更大。

5、根据权利要求4的半导体激光器，它还包括一个导光层，其中的三个层按活性层、饱和吸收层、和导光层的顺序设置。

6、根据权利要求4的半导体激光器，其中的活性层具有量子阱结构；并且饱和吸收层的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3％左右或更多。

7、根据权利要求4的半导体激光器，其中的饱和吸收层具有p型导电性，并被设置在一个p型包层中。

8、根据权利要求7的半导体激光器，它还包括一个设置在活性层和饱和吸收层之间的包层，其中该包层的能隙大于活性层和饱和吸收层各自的能隙。

9、根据权利要求1或4的半导体激光器，它包括一些电流阻挡层和一个设置在各电流阻当层之间的区域中的导光层。

10、一种半导体激光器，它包括依次设置的一个活性层、一个饱和吸收层和一个导光层，

其中活性层和导光层之间的距离d被设定得使对饱和吸收层的光限制系数为2％或更大，并且

其中饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大。

11、一种半导体激光器，它至少包括一个活性层和一个厚度为150埃左右或更小的饱和吸收层，

其中饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大并且压缩应变量设定得使对饱和吸收层的光限制系数为3％左右或更大。

12、根据权利要求11的半导体激光器，其中饱和吸收层的杂质浓度至少为1×10¹⁸cm^-3左右。

13、根据权利要求11的半导体激光器，其中活性层具有量子阱结构。

14、根据权利要求11的半导体激光器，其中饱和吸收层的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3％左右或更多。