[发明专利]具有梯度指数结构的光学元件和生产这种元件的方法无效

专利信息
申请号: 97193414.2 申请日: 1997-04-03
公开(公告)号: CN1091522C 公开(公告)日: 2002-09-25
发明(设计)人: 赫尔穆特·施米特;赫伯特·克鲁格;彼得·W·奥利维拉;斯蒂芬·塞佩沃尔 申请(专利权)人: 新材料公共服务公司研究所
主分类号: G02B1/04 分类号: G02B1/04;G02B1/00;G02F1/35
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元
地址: 联邦德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 梯度 指数 结构 光学 元件 生产 这种 方法
【说明书】:

发明涉及具有梯度结构的光学元件和用于生产这种光学元件的方法。

颗粒在悬浮液中的电泳沉积是基于颗粒在电场中迁移的能力,而且,随着它们表面电荷的极性变化而沉积于一个电极上。在这种情况下,扩散分布态尤其取决于颗粒的尺寸和分布以及介质的粘度。

若扩散过程发生在可随后硬化的基质中,就有可能“封冻”相应的扩散分布态,这样生成了梯度材料。

按照本发明,现已发现:非常概括地说,由任何种类的颗粒,特别是纳米级颗粒在合适粘度(即,(刚好)允许颗粒扩散的粘度)的液态(优选地为热和/或光化学)可固化基质中的电位差所引起的定向扩散(迁移),可用于生产具有材质梯级结构的光学元件。如果,在形成了所需的纳米级颗粒的扩散分布态之后,可通过固化基质相将这种扩散分布态封冻。

因此,本发明提供了具有梯度结构的光学元件,其中(可,例如带来折射能力梯度的)物质梯度是由埋于固体基质中的纳米级颗粒引起的。

本发明还提供了一种用于生产这种光学元件的方法,其中,电位差被用于使分散于液态可固化基质相中的纳米级颗粒在基质相中发生迁移,因此导致了物质梯度的形成,随后基质相发生固化而保留了物质梯度。

导致颗粒在基质中定向迁移(扩散)的主动力可,例如通过电场(如在电泳中)、化学(浓差)电势或界面势而产生。

如果要通过电场产生电位差,那么可能的步骤为,例如,将分散其中的在两个电极(阳极和阴极)间传导表面电荷的纳米级颗粒引入液态可固化基质相中,然后使纳米级颗粒朝着具有与它们表面电荷相反的极性的电极方向迁移。纳米级颗粒上的表面电荷可,例如通过形成可引起基团在纳米级颗粒表面上离解(如COOH→COO-,金属-OH金属-O-)的pH值而产生。当然,这种途径预先假定:当电场作用时,基质的粘度可允许纳米级颗粒进行明显的扩散。在形成所需的扩散分布态之后,可以这么说,它通过固化基质形成固态结构而被封冻,由此,有可能生产出具有物质梯度结构的光学元件。

化学浓差电势可,例如按照以下方式产生。对具有碳-碳重键、环氧环等的物质的局部(如热和/或光化学引发的)聚合来说,聚合反应导致了官能团在聚合反应发生区域中的贫化(这里所用的术语“聚合反应”意味着不仅包括加成聚合反应,而且还包括加聚和缩聚反应)。这导致具有仍未反应的官能团的物质向聚合反应已发生聚合(受热的或受照的)区域扩散以补偿化学势差异。在光聚合物的情况下,这种作用被称为Colburn-Haines效应。在受热或受照区域中,这种伴有随后聚合反应的定向扩散导致了密度的增加,并由此导致了折射能力的增加。然而,对于有机单体来说,这种变化不大,这是由于,密度上所产生的较小变化仅对摩尔折射率产生很小的影响。然而,这不适用于其表面带有能进行聚合反应的活性基团的纳米级颗粒。对此,折射能力梯度可在化学势的作用下,通过纳米级颗粒的扩散而得到显著提高;而且,如果在扩散之后,基质相发生固化,即,如果,例如整个体系经受由热和/或光化学引发的聚合反应,那么有可能得到梯度材料。在这种情况下,由于扩散的纳米级颗粒的固定(通过聚合反应),物质梯度得以保留。当然,本发明方法的该具体例的一个重要前提同样是,液态基质相能够允许其表面已具有活性(可聚合的)基团的纳米级颗粒进行合适的扩散;换句话说,基质相的粘度不要太高。

用于产生势差的另一途径是利用纳米级颗粒表面与液态基质相间的不相容性,其中,势差可使已被合适基团改性(在表面上)的纳米级颗粒在合适粘度的基质相中进行扩散以形成物质梯度。如果,纳米级颗粒,例如在其表面带有疏水基团如氟化(烷基)基团,而基质相具有亲水或较弱疏水特性,那么,液态亲水基质相与分散其中的疏水纳米级颗粒在基质上的涂覆,使得疏水颗粒迁移到表面层,这样可形成最低的系统能量。一般来说,该层是与空气接触的界面,这样,疏水的或疏水性包覆的颗粒聚集在覆盖层表面并在与基质接触的界面上变得浓度不够;在覆盖层固化之后,这可在层与基质间产生良好的粘附力,以及一种易清洗的低能量表面。

为了抑制(亲水的)基质相和疏水纳米级颗粒甚至在涂于基质前的分离作用,对本发明方法的该具体例来说,可能的措施为,例如,向基质相中加入配伍剂,其中,配伍剂可在组合物涂于基质后被去除(例如,通过蒸发),或随着基质相的固化而稳定地加入基质相中。

在下文中,将更加详细地描述可用于本发明方法的物质。

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