[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1．具有由树脂密封的半导体元件的树脂密封的半导体器件，其中一张金属箔通过粘合剂被粘附到半导体元件安置于其上的引线框架的底部，而另一张金属箔则被固定于半导体元件一侧的密封树脂的外表面上。

2．根据权利要求1的半导体器件，其中所述引线框架由铁-镍合金制成，通过粘合剂粘附到引线框架底部的金属箔的线膨胀系数为0.4-2.7×10^-5/℃，而固定到半导体元件一侧的密封树脂外表面上的金属箔的线膨胀系数为0.4-0.8×10^-5/℃，并且其厚度为引线框架底部的金属箔厚度的2-10倍。

3．根据权利要求1的半导体器件，其中所述引线框架由铜合金制成，通过粘合剂粘附到引线框架底部的金属箔的线膨胀系数为0.4-1.8×10^-5/℃，而固定到半导体元件一侧的密封树脂外表面上的金属箔的线膨胀系数为1.6-2.7×10^-5/℃，并且其厚度为引线框架底部的金属箔厚度的0.5-3倍。

4．根据权利要求1-3中任一项的半导体器件，其中固定到半导体元件一侧的密封树脂外表面上的所述金属箔通过其厚度嵌入具有产品识别功能的最外面的有机物层中。

5．根据权利要求1-4中任一项的半导体器件，其中将引线框架粘附到引线框架底部金属箔上的所述粘合剂含有作为主要成分的聚碳化二亚胺。

6．制作半导体器件的方法，包括以下步骤：将一张金属箔临时固定到模上腔体表面；将另一张涂有粘合剂的金属箔使粘合剂朝上地安置到模下腔体表面上；固定半导体元件安置于其上的引线框架；夹紧模将金属箔粘附到引线框架上；和将树脂注入模并将其模塑。

7．根据权利要求6的制作半导体器件的方法，其中当将金属层临时固定到模上腔体表面时，通过有机物层将所述具有产品识别功能的有机物层的金属层临时固定到所述腔体表面上。

8．根据权利要求6和7中任一项的制作半导体器件的方法，其中将引线框架粘附到该引线框架底部金属膜上的粘合剂含有作为主要成分的聚碳化二亚胺。