[发明专利]埋入式异质结构

权利要求书

1．造于一个基底之上、包括一个基本上在侧面方向上被光学和电子限制的内部区域、还包括至少一个增强的横向限制层的一个多层半导体结构，其特征在于，在基本上侧面限制的内部区域和至少一个增强的横向限制层之间至少有一个分离层，该至少一个增强的横向限制层不是以和内部区域同样方式被侧面限制的。

2．权利要求1的结构，其特征在于，至少一个增强的横向限制层的材料被选择来为导带电子获得一个较高的带隙。

3．权利要求2的结构有这样的特征，至少一个增强的横向限制层在组成物中被分出能级，因而在其带隙中也被分出能级，从高于基底带隙的第一能量值，降到低于第一能量级的第二能量值。

4．权利要求1的结构，其特征在于，至少一个增强的横向限制层的材料被选择来为导带电子获得一个较高的带边缘。

5．权利要求1的结构，其特征在于，至少一个增强的横向限制层的材料被选择来为所考虑的波长的光获得一个较低的折射率。

6．权利要求4-5中任何一个权利要求的结构，其特征在于，至少一个增强的横向限制层在组成物中被能量分级。

7．权利要求1-6中任何一个权利要求的结构，其特征在于，至少一个增强的横向限制层包含Al，内部区域基本上是无Al的。

8．权利要求1-7中任何一个权利要求的结构，其特征在于，基底基材包括InP。

9．权利要求1-8中任何一个的结构，其特征在于，至少一个缓冲层已在前面刚被生长出来，和/或放置于至少一个增强的横向限制层之下。

10．权利要求1-9中任何一个权利要求的结构，其特征在于，至少一个蚀刻阻止层在后来被生长出来，和/或放置于至少一个增强的横向限制层的顶部。

11．权利要求10的结构，其特征在于，至少一个蚀刻缓冲器层已被生长出来，和/或放置于至少一对蚀刻阻止层和增强的横向限制层之间。

12．权利要求1-11中任何一个权利要求的结构，其特征在于，至少一个增强的横向限制层已经前面被生长出来，和/或放置于内部区域之下。

13．权利要求1-12中任何一个权利要求的结构，其特征在于，至少一个增强的横向限制层在后来被生长出来，和/或放置于内部区域的上部。

14．权利要求1-13中任何一个权利要求的结构，其特征在于，内部区域包括一个用来产生基本上为1.3μm波长的激光振荡的工作区域。

15．权利要求1-14中任何一个权利要求的结构，其特征在于，内部结构是一个包括至少一个阱的应变层量子阱结构。

16．权利要求1-15中任何一个权利要求的结构，其特征在于，内部区域横向限制是通过平台蚀刻以产生第一蚀刻区域并再生以产生第一再生区域而得到的。

17．权利要求16的结构，其特征在于，第一再生区域的主要部分已被离子注入。

18．权利要求16的结构，其特征在于，第一再生区域的主要部分通过第二蚀刻而被移去以产生第二蚀刻区域。

19．权利要求18的结构，其特征在于，第二蚀刻区域已被再生以产生第二再生区域。

20．用作激光器、被连接到电源装置的权利要求1-19中任何一个的结构，其特征在于，激光以基本上垂直于生长方向的方向发射，也即，该结构用作边缘发射激光器。

21．用作激光器、被连接到电源装置的权利要求1-19中任何一个的结构，其特征在于，激光以基本上平行于生长方向的方向发射，也即，该结构用作表面发射激光器。