[发明专利]清洗电子器件的喷砂介质及清洗方法无效
申请号: | 97194412.1 | 申请日: | 1997-03-31 |
公开(公告)号: | CN1086610C | 公开(公告)日: | 2002-06-26 |
发明(设计)人: | 苯尼·S·亚姆;肯尼思·库尔伯特 | 申请(专利权)人: | 彻什-威特有限公司 |
主分类号: | B08B3/00 | 分类号: | B08B3/00;B08B3/04;B08B7/00;B08B7/02;B24B3/00;B24C1/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 电子器件 喷砂 介质 方法 | ||
1.一种清洗电子器件的喷砂介质,其中,包含大小至少为20微米但不大于300微米、莫氏硬度不大于5.0的、可溶于水的纯净碱性金属盐的磨粒,其氯离子浓度不大于100ppm、化学氧的浓度不大于100ppm、水分含量不高于0.20wt%,所述喷砂介质不含含有助流动剂的有机物和硅土。
2.如权利要求1所述的喷砂介质,其中,所述碱性盐包括钾或钠的碳酸或碳酸氢盐或它们的混合物。
3.如权利要求2所述的喷砂介质,其中,所述碱性盐包括碳酸氢钠。
4.如权利要求3所述的喷砂介质,其中,所述碳酸氢钠的纯度为99.0wt%~100wt%。
5.如权利要求1所述的喷砂介质,其中,所述磨粒的水分含量不超过0.10wt%。
6.如权利要求4所述的喷砂介质,其中,碳酸根离子(CO32-)的含量不超过0.20wt%。
7.如权利要求4所述的喷砂介质,其中,所述碳酸氢钠包含:大小在140目以上的颗粒含量最多为7wt%,200目以上的颗粒含量最多为52wt%,325目以上的颗粒含量最少为80wt%,400目以上的颗粒含量最少为95wt%。
8.一种包装的、可自由流动用于清洗电子器件的喷砂介质,该介质包含可溶于水的纯净碱性金属盐磨粒,其粒度为至少20微米但不大于300微米、莫氏硬度不大于5.0、氯离子浓度不大于100ppm、化学氧的浓度不大于100ppm、水分含量不高于0.20wt%,该喷砂介质储存在不含有机滑动剂的聚合物包装袋中,该聚合物包装袋使碱性金属盐与水汽隔绝从而防止研磨颗粒在储存期间结块。
9.如权利要求8所述的包装的、自由流动的喷砂介质,其中,所述水分含量不超过0.10wt%。
10.如权利要求8所述的包装的、自由流动的喷砂介质,其中,所述聚合物包装袋由聚对苯二甲酸乙二醇酯组成。
11.如权利要求8所述的包装的、自由流动的喷砂介质,其中,储存在聚合物包装袋中的碱性金属盐颗粒重量为20~50磅。
12.如权利要求11所述的包装的、自由流动的喷砂介质,其中,盛装碱性金属盐颗粒的聚合物包装袋贮存在刚性容器中,使喷砂介质不受挤压。
13.如权利要求8所述的包装的、自由流动的喷砂介质,其中,所述喷砂介质不含含有助流动剂的有机物和硅土。
14.一种喷砂清洗电子器件去除污染物的方法,包括:以加压流体束的方式将研磨喷砂介质喷射到电子器件的表面,喷砂介质包含可溶于水的纯净碱性金属盐颗粒,其中颗粒平均直径至少为20微米但不大于300微米、莫氏硬度不大于5.0、氯离子含量不大于100ppm、化学氧含量不大于100ppm、水分含量不高于0.20wt%,所述喷砂介质不含含有助流动剂的有机物和硅土。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述研磨喷砂介质以薄浆状或分散状喷射到电子器件的表面。
16.如权利要求14所述的方法,其中,所述流体束包括空气或水。
17.如权利要求16所述的方法,其中,所述空气的压力为10~50磅/平方英寸。
18.如权利要求14所述的方法,其中,介质流动速率为1~10磅/分钟。
19.如权利要求14所述的方法,其中,所述碱性金属盐包括钾或钠的碳酸或碳酸氢盐或它们的混合物。
20.如权利要求19所述的方法,其中,所述碱性金属盐包括99.0wt%~100wt%的碳酸氢钠。
21.如权利要求20所述的方法,其中,所述喷砂介质中碳酸根离子(CO32-)的含量不超过0.20wt%。
22.如权利要求20所述的方法,其中,所述碳酸氢钠包含大小在140目以上的颗粒含量最多为7wt%,200目以上的颗粒含量最多为52wt%,325目以上的颗粒含量最少为80wt%,400目以上的颗粒含量最少为95wt%。
23.如权利要求14所述的方法,其中,所述颗粒中水分含量不超过0.10wt%。
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