[发明专利]较高比电容量的多层电容器

权利要求书

1．薄膜结构的多层电容器，其特征在于：

-在一片基片(1)上交替敷设总共n+1层电极层(E)和n层介电陶瓷层(D)，其具有的最大厚度为2μm以形成分层结构，

-在分层结构两侧相对的两端以近似垂直于覆层平面的方式敷设第一(12)和第二接触层(15)，

-电极层(E)交替与第一和第二接触层(15)作导电连接，

-n值等于：1＜n＜100。

2．权利要求1的多层电容器，其特征在于：

其中与第一接触层(12)连接的第1电极层(E)是用与第二接触层(15)连接的第二电极层(E’)不同的电极材料制成的；两种电极材料的氧化电势不同。

3．权利要求1或2的多层电容器，其特征在于：

其中的各层介电层都是用统一的材料制成的，但是不同的介电层却包含至少两种不同的介电材料。

4．权利要求1至3之一的多层电容器，其特征在于：

其中的介电层(D)包裹铁电层。

5．权利要求4的多层电容器，其特征在于：

其中的分层结构包括不同温度特性的不同铁电层，其选用方式是：通过平均值计算求出适用于整个多层电容器的理想温度特性。

6．权利要求1至5的多层电容器，适用于5≤n≤20。

7．采用下列步骤制造多层电容器的方法：

a)在一片基片(1)上敷设一层第一电极层(E1),

b)在第一电极层上敷设一层第一介电层(D1),

c)第一介电层上用不同于第一电极层(E1)的材料敷设一层第二电极层(E’2),

d)多次重复步骤b)及c)，直到生成预期层数为n层介电层，其中的电极层(E)交替分别用第一种和第二种电极材料制造，且1＜n＜100,

e)在近似垂直于在基片(1)上所制的分层结构覆层平面的第一侧面上有选择地溶掉一部分低氧化势的电极材料(E’),

f)将由此生成的凹槽(8)用绝缘材料(11)填满，

g)在第一侧面对面的第二侧面上有选择地溶掉一部分高氧化势的电极材料(E),

h)将由此生成的凹槽(13)用绝缘材料(14)填满，

i)在步骤f)及h)之后，分别在两个侧面上敷设接触面，各接触面各自与所有用同样电极材料做成的电极作导电连接。

8．如权利要求7的方法，其中，将较高氧化势电极材料溶掉的作业是用电化学刻蚀法完成的，在此过程中，与上一道工艺步骤中彼此作导电连接的各电极层被连接到阳极上。

9．如权利要求7或8的方法，其中，将较低氧化势电极材料溶掉的作业是用湿化学刻蚀法完成的。

10．如权利要求7或8的方法，其中，在一个电解槽中电极材料在无电流的情况下沉积在较高氧化势的电极层(E)上，此时较低氧化势的电极材料(E’)作为铜阴极使用，并有一部分被溶掉。

11．如权利要求7至10之一的方法，其中，为了填满侧面上的凹槽(8,13)，分别在各自的整个平面上敷设绝缘层，通过剥蚀，使绝缘层平行的与侧面离开一段距离，直到使各个被蚀掉一部分的电极层裸露为止。

12．如权利要求11的方法，其中，绝缘层的剥蚀是通过化学机械抛光法完成的。

13．如权利要求7至12之一的方法，

-其中，使用大面积的基片(1)，

-其中，按照方法步骤d)将基片制成长条形的电容器序列(3)，

-其中，将多个电容器序列沿着分层结构的走向叠置，

-其中，在方法步骤e)至i)中将叠置的多个电容器同时进行加工，

-其中，最后将电容器序列重新分开，再分割成单个的多层电容器。

14．如权利要求13的方法，其中使用一片基片(1)，在该表面上具有与分割相对应的沟槽模块(2,4)，以供在电容器序列(3)和单个电容器的分割过程中进行支持。