[发明专利]降低蓝移的InP基激光器

权利要求书

1．一种量子阱器件，其特征在于它包括：

含有铟和磷的衬底；

在所述衬底上外延形成的InP基量子阱结构；以及

至少一层与所述量子阱结构一同在所述衬底上外延形成的含有铝、铟和砷的势垒层。

2．如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述势垒层还含有镓。

3．如权利要求2所述的器件，其特征在于：所述势垒层形成在所述衬底与所述量子阱结构之间。

4．如权利要求3所述的器件，其特征在于进一步包括设置在所述衬底与所述量子阱结构之间并含有铟和磷的缓冲层。

5．如权利要求4所述的器件，其特征在于：所述势垒层和所述缓冲层各自都包括多个相互交叠的子层。

6．如权利要求2所述的器件，其特征在于：所述势垒层形成在所述量子阱结构上。

7．如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述量子阱结构形成到沿所述衬底表面延伸的波导结构中。

8．如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述势垒层形成横向图案，提供多个具有不同特征光学波长的所述量子阱区域。

9．一种光敏的InP基量子阱器件，其特征在于它包括：

含有InP的衬底；

在所述衬底上外延形成的含有Al、Ga和As的势垒层；以及

在所述势垒层上外延形成的并含有选自InGaAsP/InGaAs、InGaAsP/InGaAsP、InP/InGaAs、InP/InGaAsP的成对组分材料的量子阱结构。

10．如权利要求9所述的量子阱器件，其特征在于：所述势垒层还含有In。

11．如权利要求10所述的量子阱器件，其特征在于：所述势垒层还含有P。

12．如权利要求9所述的量子阱器件，其特征在于：所述势垒层还含有P。

13．如权利要求9所述的量子阱器件，其特征在于：所述势垒层包括多个势垒子层，进一步包括多个含有InP的势垒子层并与所述势垒子层交叠。

14．一种制备量子阱器件的方法，其特征在于该方法包括步骤：

在含有In和P的衬底上外延形成包括含Al化合物半导体的势垒层的第一步骤；

在所述势垒层上外延形成至少一个量子阱并环绕势垒的第二步骤，每一步包括InP基组分。

15．如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述的第一形成步骤包括在所述势垒层上形成横向图案。

16．如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述至少一个量子阱和所述势垒包括选自InGaAsP/InGaAs、InGaAsP/InGaAsP、InP/InGaAs、InP/InGaAsP的各个组分。

17．一种形成具有不同特征能量区域的量子阱器件的方法，其特征在于该方法包括步骤：

在含有铟和磷的衬底上形成InP基量子阱结构；

在所述量子阱结构上形成有图案的势垒层；以及

在高于600℃的温度下对所述量子阱结构进行热处理，由此形成有能量图案的量子阱结构。

18．如权利要求17所述的方法，其特征在于：所述势垒层包括Al。

19．如权利要求18所述的方法，其特征在于：所述势垒层还包括Ga和Ir。

20．如权利要求17所述的方法，其特征在于：所述热处理步骤包括在所述量子阱结构上淀积另外的层。