[发明专利]快速光寻址基片和具有高诱导双折射的光寻址侧基聚合物

权利要求书

1．由光寻址聚合物制备的光学各向异性Δn为0.001-0.95的平面材料的应用，通过光学各向异性的部分选择性变化用于存储光有效信息。

2．根据权利要求1的应用，用作全息记录材料。

3．在根据权利要求1要使用的平面材料中存储图案的方法，该方法通过用能量密度为10³-10⁷mJ/m²的光照射10^-3-10^-15sec的持续时间。

4．可通过预处理在其中产生光学各向异性的聚合物，该各向异性可通过曝光10^-3-10^-15sec而变化。

5．根据权利要求4的聚合物，该聚合物在作为骨架的主链上带有各种类型的侧链，这两类链都可吸收电磁辐射(至少对一类优选吸收可见光波长)，但须不同侧链的最大吸收的间隔至少为200cm^-1且最大为10000cm^-1。

6．根据权利要求5的聚合物，该聚合物含下式的侧基

-S¹-T¹-Q¹-A    (Ⅰ)和

-S²-T²-Q²-P    (Ⅱ)其中S¹,S²彼此独立地表示氧、硫或NR¹,R¹表示氢或C₁-C₄的烷基，T¹,T²彼此独立地表示基团(CH₂)_n，它可任选地由-O-、-NR¹-或-OSiR¹₂O-中断，且/或可任选地由甲基或乙基所取代，n表示整数2,3或4，Q¹,Q²彼此独立地表示二价基团，A,P彼此独立地表示可吸收电磁辐射的单元。

7．根据权利要求4-6的聚合物，A和P符合下式和其中R²为氢或氰基，R^2’为氢或甲基，W为氧或NR¹，及R⁴为硝基、氰基、苯甲酰氨基、对氯苯甲酰氨基、对氰基苯甲酰氨基、对硝基苯甲酰氨基或二甲氨基。

8．根据权利要求4-7的聚合物，其中基团-S¹-T¹-Q¹-和-S²-T²-Q²-符合式：-OCH₂CH₂O-、-OCH₂CH₂OCH₂CH₂O-和-OCH₂CH₂NR¹-。

9．根据权利要求4-8的聚合物，其中主链为聚(甲基)丙烯酰基。

10．根据权利要求4-9的聚合物，在该聚合物中可用偏振光刻录0.15以上的双折射变化Δn。

11．生产根据权利要求4-10的聚合物的方法，根据该方法下式的单体和以及及任选的其它单体彼此共聚。

12．由根据权利要求4-10的聚合物形成的膜。

13．由根据权利要求12的膜涂布的载体。

14．应用根据权利要求4-10的聚合物来生产光学结构元件。