[发明专利]具有一种贵金属层的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 97196961.2 | 申请日： | 1997-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1226999A | 公开（公告）日： | 1999-08-25 |
| 发明（设计）人： | F·欣特麦尔;G·欣德勒;W·哈特纳;C·马组雷－埃斯佩乔 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 一种 贵金属 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1．用于制造一个半导体装置的方法，该装置具有一个衬底(3)和一个由贵金属，特别是铂系金属构成的层(6)，在衬底与贵金属层之间是一个氮化硅层或者衬底本身是由氮化硅层构成的，当层(6)是由贵金属，特别是由铂系金属通过溅射构成时，其特征为，当溅射时在作为阴极(2)的衬底和在一定距离上安置的阳极(5)之间被加上一个由100V至1000V的衬底偏压。
2．依照权利要求1的方法，其特征为，被加上的衬底偏压约为250V。
3．依照权利要求1或2的方法，其特征为，当溅射时在压力为0.5至1.0Pa的氩气氛中作用一个约为300W的高频功率。
4．依照权利要求1至3之一的方法，其特征为，在贵金属层(6)上涂上一层电介质(7)。
5．依照权利要求4的方法，其特征为，(Ba,Sr)TiO3、SrBi2Ta2O9或SrBi2(Ta,Nb)2O9或绝缘橡胶或铁电层被用作为电介质(7)。
6．依照权利要求1至5之一的方法，其特征为，Ru、Os、Rh、Ir、Pd或Pt被用作为铂系金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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