[发明专利]氮化硼及其制造方法无效

专利信息
申请号: 97197074.2 申请日: 1997-08-06
公开(公告)号: CN1227531A 公开(公告)日: 1999-09-01
发明(设计)人: F·福斯提努斯;谷真佐人;铃江正义 申请(专利权)人: 大塚化学株式会社
主分类号: C01B21/064 分类号: C01B21/064
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 隗永良
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氮化 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种由纳米尺寸的微晶组成的六方氮化硼多晶体。

2.根据权利要求1所述的六方氮化硼多晶体,该多晶体具有纤维形状。

3.根据权利要求2所述的六方氮化硼多晶体,该多晶体的长度在30μm以上5mm以下。

4.一种纳米尺寸的微晶六方氮化硼,该氮化硼是通过粉碎根据权利要求1~3任一项所述的六方氮化硼多晶体而制成的。

5.一种根据权利要求1~3任一项所述的六方氮化硼多晶体的制造方法,其特征在于三聚氰胺系化合物与硼酸或者氧化硼在适宜的溶剂中加热反应,冷却时使结晶体长大,过滤所析出的纤维状化合物并进行快速干燥,得到组成为化学式C3N6H12B2O6的化合物,该化合物于非氧化气体气氛中在1300~1800℃的温度下加热处理。

6.一种六方氮化硼,其特征在于该氮化硼的平均粒径为20~200nm,并且80wt%以上的颗粒包含在平均粒径±30%范围内。

7.根据权利要求6所述的六方氮化硼,该氮化硼的平均粒径为40~80nm,并且80wt%以上的颗粒包含在平均粒径±30%范围内。

8.根据权利要求6或7所述的六方氮化硼,在X衍射图形上该氮化硼的(002)面的衍射峰在3.33~3.36范围内、所出现的(102)面衍射峰与(002)面衍射峰的强度比在100∶3以上。

9.根据权利要求6~8任一项所述的六方氮化硼,该氮化硼的纯度在98%以上。

10.一种根据权利要求6~8任一项所述的六方氮化硼的制造方法,其特征在于向含硼化合物和含氮化合物中掺合碱金属或碱土金属的碳酸盐、硫酸盐或者硝酸盐,然后混合物于非氧化气体气氛下在1000℃~1500℃的温度下加热处理。

11.根据权利要求10所述的六方氮化鹏的制造方法,其中含硼化合物是硼酸或者硼酐,含氮化合物是三聚氰胺。

12.一种微细六方氮化硼粉末,其特征在于该六方氮化硼粉末的形状为椭圆盘状或者圆盘状,并且短轴La、长轴Lb以及厚度t满足下式:

50nm≤La≤Lb≤400nm

20nm≤t≤150nm

t≤La

0.5≤La/Lb≤1.0

13.根据权利要求12所述的微细椭圆盘状或圆盘状六方氮化硼粉末,其特征在于该六方氮化硼粉末是BN六角网络在其厚度方向上叠层而成的。

14.一种微细椭圆盘状或圆盘状六方氮化硼粉末的制造方法,其特征在于,含有硼和氮的纤维状化合物于非氧化气体气氛中在400~800℃的温度下进行加热处理并把所得的处理物粉碎,然后粉碎物于非氧化气体气氛中在1000~1800℃的温度下进行加热处理。

15.一种微细椭圆盘状或圆盘状六方氮化硼粉末的制造方法,其特征在于权利要求14中所述的含有硼和氮的纤维状化合物是一种化学式为C3N6H12B2O6的化合物。

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