[发明专利]弹性表面波功能器件无效

专利信息
申请号: 97197291.5 申请日: 1997-07-18
公开(公告)号: CN1228206A 公开(公告)日: 1999-09-08
发明(设计)人: 山之内和彦;小田川裕之;佐藤和助;久世直洋;后藤广将 申请(专利权)人: 山之内和彦;旭化成工业株式会社
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H03H9/72
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 弹性 表面波 功能 器件
【权利要求书】:

1.一种弹性表面波功能器件,在压电体衬底上具有输入电极,输出电极和半导体层的弹性表面波功能器件中,其特征在于:

上述半导体层位于从输入电极传输的弹性表面波的传输通路的外侧,该半导体层由活化层和与该活化层晶格匹配的缓冲层构成,在上述传输通路上具有对于传输方向成直角并且以比传输通路的宽度更宽的宽度配置的多个栅格电极。

2.如权利要求1中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

上述栅格电极的一个端部形成在上述半导体层上。

3.如权利要求1或2中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

具有多个栅格电极,相对于以上述传输通路传输的弹性表面波的波长λ,上述栅格电极的宽度L是L=λ/3n(n是正整数)或者L=λ/2n(n是正整数),而且上述栅格电极间的间隔S是S=λ/3n(n是正整数)或者S=λ/2n(n是正整数)。

4.如权利要求3中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

上述栅格电极的宽度L是λ/8≤L≤λ,栅格电极间的间隔S是λ/8≤S≤λ。

5.如权利要求3中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

上述栅格电极的宽度L是λ/6,栅格电极间的间隔S是λ/6。

6.如权利要求1至5的任一项中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

还具有用于在上述半导体层上加入直流电场的电极。

7.如权利要求1至5的任一项中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

以上述输出电极作为参考信号用输入电极,使从上述参考信号用输入电极以及上述输入电极传输的2个输入信号相卷积。

8.如权利要求7中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

具有与上述栅格电极相交叉而且配置为成为相同电位的梳形取出电极。

9.如权利要求8中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

上述梳形取出电极形成在半导体层的上方。

10.如权利要求8中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

上述梳形取出电极形成在半导体层的下方。

11.如权利要求7至9的任一项中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

在上述半导体层的下部具有相同的取出电极。

12.如权利要求7至11的任一项中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

在上述压电体衬底的下部具有相同的接地取出电极。

13.如权利要求8至12的任一项中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

传送通路上的栅格电极的电极周期与在半导体层的上方或者下方交叉形成的栅格电极和梳形取出电极的电极周期不同。

14.一种弹性表面波功能器件,在压电体衬底或者压电性薄膜衬底上具有栅格电极和半导体层的弹性表面波功能器件中,其特征在于:

上述半导体层位于传输弹性表面波的传输通路的外侧,在该半导体层上与传输方向成直角地形成着多个栅格电极,而且在半导体层以外部分的栅格电极的上部形成着带状介质膜,在该介质膜上形成着取出电极。

15.如权利要求14中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

上述带状介质膜形成在栅格电极的上部和下部。

16.如权利要求15中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

在上述栅格电极的下部形成的带状介质膜的下方形成着取出电极。

17.如权利要求14至16的任一项中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

在上述半导体层的下部形成着相同的取出电极。

18.如权利要求14至16的任一项中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

上述栅格电极形成在半导体层的下方。

19.如权利要求18中记述的弹性表面波功能器件,其特征在于:

在上述半导体层的上部形成着相同的取出电极。

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