[发明专利]半导体装置、半导体芯片装载用基板、它们的制造方法、粘合剂和双面粘合膜

权利要求书

1．一种通过粘合构件把半导体芯片装载到有机系支持基板上的半导体装置，其特征是：

在上述有机系支持基板的半导体芯片装载侧和与装载半导体芯片一侧的相反侧中的至少任意一侧，形成规定的布线，

在上述有机系支持基板的与半导体芯片装载侧的相反侧区域阵列状地形成外部连接用端子，

上述规定的布线把半导体芯片端子和上述外部连接用端子连接起来，

至少对上述半导体芯片端子与规定的布线之间的连接部分进行树脂密封，

上述粘合构件具备粘合剂层，

上述粘合剂用动态粘弹性测定装置测定的在25℃的储存弹性模量为10～2000MPa，且在260℃的储存弹性模量为3～50MPa。

2．权利要求1所述的半导体装置，其特征是：将规定的布线和半导体芯片端子进行金属丝键合或直接地连接。

3．权利要求1或2所述的半导体装置，其特征是：粘合构件是薄膜状的。

4．权利要求1～3中的任何一项所述的半导体装置，其特征是：粘合剂的树脂成分中含有环氧树脂、含环氧基丙烯酸共聚物、环氧树脂固化剂和环氧树脂固化促进剂。

5．权利要求1～4中的任何一项所述的半导体装置，其特征是：粘合构件是一种在芯材的两面上形成粘合剂层的结构。

6．权利要求5所述的半导体装置，其特征是：芯材是耐热性热塑性薄膜。

7．权利要求6所述的半导体装置，其特征是：耐热性热塑性薄膜的玻璃化转变温度在200℃以上。

8．权利要求7所述的半导体装置，其特征是：玻璃化转变温度在200℃以上的耐热性热塑性薄膜是聚酰亚胺、聚醚砜、聚酰胺酰亚胺或聚醚酰亚胺。

9．权利要求7所述的半导体装置，其特征是：耐热性热塑性薄膜是液晶聚合物。

10．权利要求1～9中的任何一项所述的半导体装置，其特征是：粘合剂层中的残存溶剂量在5重量％以下。

11．一种半导体芯片装载用基板，它是通过粘合构件来装载半导体芯片的有机系基板，其特征是：

在上述有机系基板的半导体芯片装载侧和与装载半导体芯片一侧的相反侧中的至少任意一侧形成规定的布线，

在上述有机系基板的与装载半导体芯片一侧的相反侧区域阵列状地形成外部连接用端子，

上述粘合构件具备粘合剂层，

上述粘合剂固化物用动态粘弹性测定装置测定的在25℃的储存弹性模量为10～2000MPa，且在260℃的储存弹性模量为3～50MPa，

上述粘合构件以规定的大小形成于上述有机系基板上的规定部位上。

12．权利要求11所述的半导体芯片装载用基板，其特征是：粘合构件是薄膜状的。

13．权利要求11或12所述的半导体芯片装载用基板，其特征是：粘合剂的树脂成分中含有环氧树脂、含环氧基丙烯酸共聚物、环氧树脂固化剂和环氧树脂固化促进剂。

14．权利要求11～13中的任何一项所述的半导体芯片装载用基板，其特征是：粘合构件是一种在芯材的两面上形成粘合剂层的结构。

15．权利要求14所述的半导体芯片装载用基板，其特征是：芯材是耐热性热塑性薄膜。

16．权利要求15所述的半导体芯片装载用基板，其特征是：耐热性热塑性薄膜的玻璃化转变温度在200℃以上。

17．权利要求16所述的半导体芯片装载用基板，其特征是：玻璃化转变温度在200℃以上的耐热性热塑性薄膜是聚酰亚胺、聚醚砜、聚酰胺酰亚胺或聚醚酰亚胺。

18．权利要求15所述的半导体芯片装载用基板，其特征是：耐热性热塑性薄膜是液晶聚合物。

19．权利要求11～18中的任何一项所述的半导体芯片装载用基板，其特征是：粘合剂层中的残存溶剂量在5重量％以下。

20．权利要求11～19中的任何一项所述的半导体芯片装载用基板，其特征是：在有机系基板上的规定部位形成的粘合构件，是用冲压用模具冲压成规定大小的膜。