[实用新型]单、三相漏磁通磁路型磁性调压器

权利要求书

1、单、三相漏磁通磁路型磁性调压器，包括主磁路TM(TM_A TM_B TM_C)原绕组WF(WF_A、WF_B、WF_C)，付绕组WS(WS_a、WS_b、WS_c)，其特征在于，在单、三相主磁路TM(TM_A、TM_B、TM_C)上增设导磁体TF(包括TF₁、TF₂)，组成漏磁通磁路，构成单相短接式、屏蔽式、旁路式、对偶式、外包式漏磁通磁路型磁性调压器及三相短接式、跨接式、屏蔽式、组合屏蔽式、旁路式、对偶式、外包式漏磁通磁路型磁性调压器。

2、根据权利要求1所述的单、三相漏磁通磁路型磁性调压器，其特征在于，在主磁路TM(TM_A、TM_B、TM_C)的磁轭之间增设导磁体TF(包括TF₁、TF₂)，组成漏磁通磁路，构成单、三相短接式漏磁通磁路型磁性调压器。

3、根据权利要求1所述的三相漏磁通磁路型磁性调压器，其特征在于，在三相三柱式主磁路TM_A、TM_B、TM_C的三个芯柱中部，增设导磁体TF(包括TF₁、TF₂)，组成漏磁通磁路，构成三相跨接式漏磁通磁路型磁性调压器。

4、根据权利要求1所述的单、三相漏磁通磁路型磁性调压器，其特征在于，在单、三相主磁路TM(TM_A、TM_B、TM_C)中，原绕组WF(WF_A、WF_B、WF_C)或付绕组WS(WS_a、WS_b、WS_c)所在部位两侧对称地设置导磁体TF₁及TF₂组成漏磁通磁路，构成单、三相屏蔽式漏磁通磁路型磁性调压器。

5、根据权利要求1、4所述的三相组合屏蔽式漏磁通磁路型磁性调压器，其特征在于，位于三柱式主磁路TM_A、TM_B、TM_C相邻两芯柱TM_A、TM_B及TM_B、TM_C之间的两条导磁体TF₁与TF₂之间隔以毫米级厚度的抗磁性金属垫片MR₁(9)并共用一个直流控制绕组WC₂。

6、根据权利要求1所述的单、三相旁路式漏磁通磁路型磁性调压器，其特征在于，由导磁体TF₁及TF₂组成的漏磁通磁路，设于单、三相主磁路TM(TM_A、TM_B、TM_C)的一侧。

7、根据权利要求1所述的单、三相对偶式漏磁通磁路型磁性调压器，其特征在于，由导磁体TF组成的漏磁通磁路设于两个结构完全相同的单、三相主磁路TM(TM_A、TM_B、TM_C)中间。

8、根据权利要求1所述的单、三相外包式漏磁通磁路型磁性调压器，其特征在于，由导磁体TF组成的漏磁通磁路设于主磁路TM(TM_A、TM_B、TM_C)的四周。

9、根据权利要求2、3、6、7所述的单、三相漏磁通磁路型磁性调压器，其特征在于，漏磁通磁路中，两条导磁体TF(包括TF₁、TF₂)对应等磁位点间设有由一条或两条导磁体MG组成的磁化芯柱。

10、根据权利要求2、3所述的单、三相漏磁通磁路型磁性调压器，其特征在于，两条导磁体TF两端设有由导磁体MG组成的直流磁通续流磁路。