[实用新型]横向伸缩多层独石式压电微位移器无效
| 申请号： | 97242532.2 | 申请日： | 1997-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN2335332Y | 公开（公告）日： | 1999-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈大任;李国荣;殷庆瑞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H04R17/00 | 分类号： | H04R17/00 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 伸缩 多层 独石式 压电 位移 | ||
【权利要求书】：
1．一种横向伸缩多层独石式压电陶瓷微位移器，包括制备上、下表面电极，其特征在于该微位移器由压电陶瓷膜片(11、12、13)、内电极(21、22)、端电极(31、32)、表面电极(41、42)、表面绝缘层(61、62)、端电极陶瓷绝缘片(71、72)和电极引线(51、52)组成，其中表面电极(41)和(42)分别和端电极(31)和(32)连成一体；再分别与两组内电极(21)，(22)构成两组电极，使表面压电陶瓷层可与内压电陶瓷层一起参与电场极化，成为压电活性层。
2．按权利要求1所述的微位移器，其特征是在表面电极(41),(42)上配置高绝缘强度涂层(61)、(62)；在端电极上粘贴陶瓷绝缘片(71)，(72)。
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