[发明专利]利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法无效
申请号: | 98100021.5 | 申请日: | 1998-01-14 |
公开(公告)号: | CN1084296C | 公开(公告)日: | 2002-05-08 |
发明(设计)人: | 张孙隆 | 申请(专利权)人: | 张孙隆 |
主分类号: | C01B33/32 | 分类号: | C01B33/32 |
代理公司: | 天津三元专利事务所 | 代理人: | 周永铨 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 结晶 制造 硅酸钠 方法 | ||
1、一种利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法,其特征在于:
其主要是将重量比为1∶2的硅酸钠及液态烧碱输入于一调和槽均匀搅拌约5至20分钟,待调和液反应升温达到50℃至80℃则将其施以加热浓缩,经加热浓缩的调和液以泵缓速输送至造粒塔中进行急冷结晶造粒;其中,施以浓缩加热时间为60至90分钟的调和液输入于零下20℃至零上20℃温度范围内的造粒塔中,急冷造粒结晶为含九个结晶水的偏硅酸钠。
2、根据权利要求1所述的利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法,其特征在于其中偏硅酸钠选定为波美浓度为49度。
3、根据权利要求1所述的利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法,其特征在于其中硅酸钠选定为波美浓度为42度至45度。
4、根据权利要求3所述的利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法,其特征在于其中造粒塔其外设有一粉尘收集器,并伸入一吸口于造粒塔中,吸收悬浮于造粒塔中的细颗粒偏硅酸钠结晶。
5、根据权利要求3所述的利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法,其特征在于其中波美浓度为42度至45度的硅酸钠与液态烧碱调和液施以加热浓缩,使硅酸钠波美浓度浓缩为49度。
6、根据权利要求5所述的利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法,其特征在于其中加热浓缩是在一浓缩槽中完成,且该浓缩槽中加设有一卷绕的输气管,该输气管中充满蒸气,以隔水蒸气加热方式进行达到浓缩作业。
7、根据权利要求6所述的利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法,其特征在于其中浓缩作业是由二个浓缩槽轮替进行处理,以使整个制程为自动化连续生产。
8、根据权利要求1所述的利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法,其特征在于其中经冷却降温的硅酸钠及液态烧碱调和液是以点滴状液注方式缓速输送入于造粒塔中,以自由落体方式进行结晶造粒。
9、根据权利要求1所述的利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法,其特征在于造粒塔其中设有一个或数个快速旋转的回转翼,利用离心力旋散调和液达到结晶造粒。
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