[发明专利]用于场效应晶体管放大器的偏压电路

权利要求书

1、一种用于具有一个场效应晶体管的场效应晶体管放大器的偏压电路，其特征在于，具有一个与第一电源相连的漏极端、一与第二电源相连的栅极端和一个接地的源极端，其特征在于其中包括：

连接在所述场效应晶体管的所述漏极端与所述栅极端之间的第一晶体管；及

连接在所述第一电源与所述第一晶体管的基极端子之间的第二晶体管。

2、根据权利要求1所述的偏压电路，其特征在于其中所述第一和第二晶体管具有基本相同的发射极一基极电压特性。

3、根据权利要求1所述的偏压电路，其特征在于所述第一和第二晶体管被设置在一个芯片内。

4、根据权利要求1所述的偏压电路，其特征在于所述第一晶体管通过基极电阻接地。

5、根据权利要求1所述的偏压电路，其特征在于所述第二晶体管具有一个基极和一个直接与所述基极相连的发射极。

6、根据权利要求1所述的偏压电路，其特征在于其中所述场效应晶体管为N沟道结型晶体管，所述第一和第二晶体管为PNP晶体管，所述第一电源为正直流电源且所述第二电源为负直流电源。

7、根据权利要求1所述的偏压电路，其特征在于其中所述场效应晶体管为p沟道耗尽型晶体管，所述第一和第二晶体管为NPN晶体管，所述第一电源为负直流电源而所述第二电源为正直流电源。

8、根据权利要求4所述的偏压电路，其特征在于所述基极电阻为可变电阻。

9、根据权利要求1所述的偏压电路，其特征在于其中所述场效应晶体管放大器为微米波段的高频放大器。

10、一种用于具有场效应晶体管的场效应晶体管放大器的偏压电路具有一个与正直流电源相连的漏极端、与负直流电源相连的栅极端及一接地的源极端，其特征在于，其中包含：

连接在所述场效应晶体管的所述漏极端与所述栅极端之间的第一PNP晶体管；

连接在所述场效应晶体管的所述漏极端与所述正直流电源之间的第一电阻；

连接在所述场效应晶体管的所述栅极端与所述负直流电源之间的第二电阻；

连接在所述正直流电源与所述第一PNP晶体管的基极端之间的第二PNP晶体管具有一个基极和一个直接与所述基极相连的发射极，其中所述第一和第二PNP晶体管的发射极—基极电压特性基本相同。

11、一种用于具有场效应晶体管的场效应晶体管放大器的偏压电路，具有一个与负直流电源相连的漏极端、与正直流电源相连的栅极端和一个接地的源极端，其特征在于，其中包含：

连接在所述场效应晶体管的所述漏极端与所述栅极端之间的第一NPN晶体管；

连接在所述场效应晶体管的漏极端与所述负直流电源之间的第一电阻；

连接在所述场效应晶体管的所述栅极端与所述正直流电源之间的第二电阻；

第二PNP晶体管连接在所述正直流电源与所述第一PNP晶体管的基极端之间，其具有一个基极和一个直接与所述基极相连的发射极，其中所述第一和第二PNP晶体管的发射极—基极电压特性基本相同。