[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 98100404.0 | 申请日: | 1998-02-09 |
公开(公告)号: | CN1190798A | 公开(公告)日: | 1998-08-19 |
发明(设计)人: | 九正仁 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36 |
代理公司: | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,其包含一管壳,在管壳上固定有包括一半导体基片的一半导体芯片,半导体基片设有工作电路,其特征在于所说的半导体芯片是通过粘于所说半导体芯片的底表面上的粘结材料与所说的管壳相连的;其中至少有一个空隙聚集区是设在从与所说管壳相对的所说半导体芯片的一表面、和与所说半导体芯片相对的所说管壳的一表面中选出的至少一个表面上,并且所说的空隙聚集区包含一凹进部分,且是设于避开所说芯片接触表面上的生热区的区域,当所说半导体芯片是与所说管壳以一定压力接触时,所说空隙聚集区捕获从所说管壳和是芯片之间的粘结材料中除去的存在于所说半导体芯片接触表面的所说生热区中的空隙。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件,其特征在于在所述空隙聚集区中,至少一突出部分在与所述芯片的所述生热区相反的区域中形成,所述突出部分有一平坦表面,所述突出表面的作用是使所述管壳和所述芯片之间形成的表面变窄,以使在与所述生热区相应的所述空间中存在的空隙压出所述区域。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件,其特征在于所述空隙聚集区是设于避开所述芯片的所述生热区、而且还与所述生热区相邻的位置上。
4.根据权利要求1所述的一种半导体器件,其特征在于所述凹进部分是在与所述管壳相对的所述半导体芯片的表面上形成。
5.根据权利要求1所述的一种半导体器件,其特征在于所述凹进部分是与所述半导体芯片相对的所述管壳的一表面上形成。
6.根据权利要求1所述的一种半导体器件,其特征在于所述凹进部分是在与所述管壳相对的所述半导体芯片的表面上,以及与所述半导体芯片相对的所述管壳的表面上形成的。
7.一种制造一种半导体器件的方法,它是将在其上固定有包括一设有工作电路的半导体基片的一半导体芯片的一管壳与一半导体芯片,通过粘于所说半导体芯片的底表面上的粘结材料接触,其特征在于所述方法包括以下步骤:
在与所说管壳相对的所说半导体芯片的一表面、和与所说半导体芯片相对的所说管壳的一表面中选出的至少一个表面上,形成至少一个凹进部分;
将所述半导体芯片的所述表面通过粘于其间的粘结剂,与所述管壳的所述表面接触,以使所述粘结剂的一部分移进其间含有空隙的所述凹进部分中。
8.根据权利要求7所述的制造一种半导体器件的方法,其特征在于所述凹进部分是设于避开被固定在所述芯片上的工作电路工作时产生的热量加热的生热区的位置上。
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