[发明专利]延迟电路无效
| 申请号： | 98100713.9 | 申请日： | 1998-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1216880A | 公开（公告）日： | 1999-05-19 |
| 发明（设计）人： | 崔烘硕 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/02 | 分类号： | H03K19/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 延迟 电路 | ||
【权利要求书】：
1．一种延迟电路，包括：
多个以串联连接的第一延迟电路和一个可变电容器，每个第一延迟电路具有一个使输入电压信号倒相的倒相器，所述可变电容器连接到该倒相器的输出端。
2．根据权利要求1的延迟电路，其中所述倒相器的各栅极公共连接，以形成一输入端，所述电路还包括一个其源极与第一电源电压连接的PMOS晶体管，和一个其漏极与该PMOS晶体管公共连接以形成一输出端和其源极与第二电源电压连接的NMOS晶体管。
3．根据权利要求2的延迟电路，其中所述PMOS晶体管的衬底与该PMOS晶体管的源极连接。
4．根据权利要求2的延迟电路，其中所述NMOS晶体管的衬底具有一个与其源极电势不同的电势。
5．根据权利要求2的延迟电路，其中所述第一和第二电源电压分别是一个外部施加电压和一个地电压。
6．根据权利要求1的延迟电路，其中所述可变电容器包括一个NMOS晶体管，其栅极被用于第一电极，其源极和漏极被公共连接以形成第二电极。
7．根据权利要求5的延迟电路，其中所述NMOS晶体管的衬底具有一个与其源极电势不同的电势。
8．根据权利要求1的延迟电路，其中所述延迟电路和所述可变电容器在一个具有三沟槽结构的半导体衬底上形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG半导体株式会社，未经LG半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98100713.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
