[发明专利]非易失性半导体存储器件的擦除方法

权利要求书

1.一种在非易失性半导体存储器件的擦除方法，该非易失性半导体存储器件包括：一个第一导电类型的半导体基片、在所述半导体基片表面有选择地形成的具有第二导电类型的源区和漏区、在所述半导体基片上形成的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上形成的浮动栅、在所述浮动栅上形成的一第二绝缘层、以及在所述第二绝缘层上形成的控制栅，该擦除方法特征在于包括如下步骤：

对所述控制栅加一负脉冲，对所述源区加一正脉冲，同时使所述漏区成为浮动状态，所述负和正电压脉冲被控制以便加到所述控制栅上的电压和加到所述源区上的电压之间的电位差在施加所述脉冲电压的开始时刻比施加所述脉冲电压的结束时刻的小。

2.一种根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于加到所述控制栅或所述源区中任一个上的电压在施加所述脉冲电压的所述开始时刻其绝对值小于施加所述脉冲电压的所述结束时刻的绝对值。

3.一种根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于加到所述源区上的所述电压脉冲是一个稳定的电压脉冲，而加到所述控制栅上的所述电压脉冲是一种其绝对值从施加所述脉冲电压开始起随时间增加的电压脉冲。

4.一种根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于加到所述控制栅上的所述电压脉冲是一个稳定的电压脉冲，而加到所述源区上的所述电压脉冲是一种其幅值从施加所述脉冲电压开始起随时间增加的电压脉冲。