[发明专利]透光窗户层发光二极管

说明书

本发明涉及一种发光二极管，特别是指一种透光窗户层超晶格发光二极管。

发光二极管已是被广泛使用的半导体元件。习知的磷化铝铟镓发光二极管，于一n(p)型砷化镓基板上包括有一n(p)型磷化铝铟镓限制层，一磷化铝铟镓活化层及一p(n)型磷化铝铟镓限制层。

发光二极管之p(n)型限制层的电阻太高，无法使正电极所流出电流均匀散流至发光二极管晶粒边缘。且，于p-n介面的活化层无法均匀产生光，而使大多数电极所流出电流直接流至背面负电极，导致大多数电流产生的光被不透明正电极所反射并进而为晶粒或基板所吸收。

如表一所示，HP与Toshiba以成长甚厚半导体(GAP，ALGaAs)  为透光窗户层以提高发光二极管亮度。然，其制作过程费时且成本较高，而一般其他技术亦有二次成长或处理等制作过程的烦琐以及提高生产成本的缺失。

表一

    HP    UEC  TOSHIBA    OES  接触层    ITO  窗户层    GaP  (P，50μm)    GaP(P，50～10μm)  AlGaAs  AlGaInP  (P，3μm)

为避免光被不透明基板所吸收，习用的发光二极管以布拉格反射层(Braggreflector或DBR)来改善。但仍存在正电极所流出电流无法均匀散流至发光二极管晶粒边缘的问题，并且仍无法使光均匀产生于p-n介面的活化层，此亦为习知技术所欲解决的课题。

本发明的目的是提供一种透光窗户层发光二极管，使正电极所流出电流均匀散流至发光二极管晶粒边缘，使光均匀产生于p-n介面的活化层。

本发明的另一目的是提供一种透光窗户层发光二极管，其以超晶格增加电流分散，使发光区域增加，制程简化、成本低。

本发明之一透光窗户层发光二极管，包括：

一砷化稼基板，该砷化稼基板背面形成有一部一电极；

一布拉格反射层，该布拉格反射层形成于该砷化稼基板上；

一第一导电性磷化铝铟稼限制层，该一导电性磷化铝铟稼限制层形成于该布拉格反射层上；

一导电性磷化铝铟稼活化层，该导电性磷化铝铟稼活化层形成于该第一导电性磷化铝铟稼限制层上；

一第二导电性磷化铝镓铟限制层，该第二导电性磷化铝铟镓限制层形成于该导电性磷化铝铟镓活化层上；

一导电性磷化铝铟镓超晶格，该导电性磷化铝铟镓超晶格形成在该第二导电性磷化铝铟镓限制层上，该导电性磷化铝铟镓超晶格次导带与次价带上的能量差比该导电性磷化铝铟镓活化层能量大；

一导电性欧姆接触层，该导电性欧姆接触层形成于该导电性磷化铝铟镓超晶格上；及一金属电极，该金属电极形成于该导电性欧姆接触层上。

本发明的另一透光窗户层发光二极管，包括：

一砷化镓基板，该砷化镓基板背面形成有一第一电极；

一布拉格反射层，该布拉格反射层形成于该砷化镓基板上；