[发明专利]具有多层镀层的半导体引线框架及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体引线框架，其特征在于，它包括：

一个金属衬底；

形成于金属衬底上的铜镍合金层，所述铜镍合金中含铜占总重量的20～80％；以及

形成于铜镍合金层上的钯或钯合金层。

2、根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征在于，它还包括：在金属衬底和铜镍合金层之间的一层铜镀层。

3、根据权利要求2所述的半导体引线框架，其特征在于，它还包括：在铜镍合金层与钯或钯合金层之间的一层钯镍合金层。

4、根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征在于，它还包括：在铜镍合金层与钯或钯合金层之间的一层钯镍合金层。

5、根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征在于，所说的铜镍合金层的厚度为0.01至5微米。

6、根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征在于，所说的钯或钯合金层的厚度为0.01至3微米。

7、一种具有多层镀层的半导体引线框架的制造方法，其特征在于，它包括以下步骤：

(a)制备一个金属衬底；

(b)在金属衬底上镀一层铜镍合金层，其中铜镍合金的铜含量为总重量的20～80％；

(c)在铜镍合金层上镀一层钯或钯合金镀层。

8、根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，它还包括：在金属衬底和铜镍合金层之间镀一层铜的镀层的步骤。

9、根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，铜镍合金层是在混合有镍盐、铜盐、络合剂和添加剂的镀浴中形成的。

10、根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所说的镍盐是浓度为0.1至1.0mol/l的氯化镍(NiCl₂)或氨基磺酸镍(Ni(NH₂SO₃)₂4H₂O)；所说的铜盐是浓度为0.02至0.2mol/l的硫酸铜(CuSO₄5H₂O)或焦磷酸铜(Cu₂P₂O₇3H₂O)；络合剂是浓度为0.3至1.0mol/l的二磷酸钾(K₄P₂O₇)；添加剂是浓度为0.1至0.5mol/l的四硼酸钠(Na₂B₄O₇)。

11、根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，镀浴的温度在44℃与55℃之间，加于镀液的电流密度为1至3.0A/dm²，pH值在9.75和9.80之间。