[发明专利]箱体的防水结构无效
申请号: | 98101486.0 | 申请日: | 1998-05-21 |
公开(公告)号: | CN1100710C | 公开(公告)日: | 2003-02-05 |
发明(设计)人: | 服部刚 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | B65D53/00 | 分类号: | B65D53/00;H05K5/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 箱体 防水 结构 | ||
技术领域
本发明涉及箱体的防水结构,尤其涉及用于户外采用两种密封材料的防水结构。
背景技术
应该理解:在说明书中所述的箱体,其中一箱体与另一箱体相互配合,通常被称为一个箱体。
按常规,成形为手提式装置和户外装置,例如,具有一结构使箱体通过包装材料相互配合以达到防水的目的。图1A-1C表示使用了包装材料箱体的常规防水结构的一实例。该结构使箱体21和箱体22相互配合,通过将包装材料24插入配置在箱体21和以其相配的箱体22的密封部分上的沟槽23中以达到防水的目的。包装材料24由包装材料本体24A和包装材料翼片24B组成,其中,当将包装材料24插入沟槽23时,由于弹性变形翼片24B挤压沟槽23的壁并且包装材料本体24A还受到来自沟槽23侧壁的压力,沟槽23防止包装材料24的脱落。
然而,当箱体22合上或打开时,包装材料24仍有可能脱落,如果包装材料处于不恰当的插入状态,防水将得不到保证。上述防水结构设置有以将包装材料24压入沟槽23进行配合的方案,但是,所述的包装材料不必永不脱离沟槽23。
发明内容
要解决上述问题,建议:作为箱体的防水结构要通过采用在箱体密封部分上配置一沟槽的密封方法来实现,并且将硅酮,硅橡胶,硅树脂或诸如此类的材料施加于沟槽中。图2A和2B表示通过此密封方法实现箱体防水结构的一实例。通过直接将硅酮施加到配置在箱体31密封部分上的沟槽33形成密封件34,防水结构使箱体31和箱体32彼此相互配合以达到防水的目的,然后将箱体31和箱体32相互安装。当直接将硅酮施加于箱体31时,合成粘着阻止硅酮脱落。
附图说明
图3A至3C表示在未审查的1992年的日本专利公开号为:17359上所描述的半导体装置的防水结构。
具体实施方式
一散热器45具有一水槽用以通过一金属底板44在盖板43内传导冷气用来冷却驱散半导体的热量。另一方面,框架状的包装材料41环绕盖板43的周边配置,由于弹性变形通过其中的突起42挤压盖板43并且防止散热器45上的水滴4a进入盖板43。盖板43与带有附着剂46的金属底座44相连接。然而,由于涉及到耐用性和外表的问题,该防水结构很少应用于手提式装置和户外装置。
正如图2A和2B所述在常规的密封方法中,当箱体相互配合时,由于硅酮的回弹在密封部分形成一间隙。尤其,当此密封方法被应用于塑料箱体时,可能会出现箱体的变形。理由是:当箱体相互配合时,没有用以减缓被挤压硅酮合成容积的区域。
如果具有低硬度的硅酮(或具有可压缩性的任何材料)被用于克服上述缺点,由于其可压缩性解决了回弹的问题,那么,与具有较高硬度的硅酮相比较其防水效果下降。理由是:具有较低硬度硅酮的可压缩性小于具有较高硬度硅酮的可压缩性。因此,前者具有比后者更低的防水性能。
本发明的目的是:当一对箱体相互配合时,通过提供用以缓和被挤压密封件的合成容积的一区域,避免在箱体的密封部分形成一间隙,避免发生箱体的变形。
根据本发明提供有箱体的一防水结构,其中,在相互配合的一对箱体的一密封部分上,一密封件由第一材料和第二材料构成,第一材料具有较低的硬度和可压缩性,其被直接施加于箱体上,第二材料具有较高的硬度和弹性,其被直接施加于第一材料上,其中密封件被另一箱体挤压以达到防水的目的。
本发明所述的防水结构通过上紧螺钉安装箱体并且在密封部分上挤压可弹性变形的密封件而获得防水性能。密封件由直接施加于箱体的具有较低硬度和可压缩性的一材料(如:硅酮或诸如此类的材料)和直接施加于所述材料的具有较高硬度和弹性的另一材料(如:硅酮,硅橡胶,硅树脂或诸如此类的材料)构成。当压力被施加于密封部分时,较小硬度的硅酮或诸如此类的材料被压缩,从而可缓和被挤压密封材料的合成容积,其避免了在箱体之间形成间隙并发生箱体的变形。
成形于密封部分表面上的较硬的硅酮或诸如此类的材料具有足够获得防水效果的弹性。
图1A表示箱体的分解透视图,其使用常规包装材料用于防水结构;
图1B表示箱体包装材料部分的剖面图,其在相互配合前使用常规包装材料用于防水结构;
图1C表示用于箱体防水结构的常规包装材料的剖面图;
图2A表示被应用于箱体防水的常规密封方法的分解透视图;
图2B表示沿图2A线B-B方向的剖面图;
图3A表示半导体装置常规防水结构的平面视图;
图3B表示半导体装置常规防水结构的剖面图;
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