[发明专利]使用移动平台的电子束曝光方法无效
申请号: | 98101487.9 | 申请日: | 1998-05-21 |
公开(公告)号: | CN1201165A | 公开(公告)日: | 1998-12-09 |
发明(设计)人: | 小野田中 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 移动 平台 电子束 曝光 方法 | ||
1、一种电子束曝光方法,其特征在于包括如下步骤:
将半导体芯片分成多个子条带区域,其中每个子条带的宽度等于或小于由电子束偏转范围确定的最大宽度,且至少有两个所述电子条带区域具有不同的宽度,并连续地将所述多个子条带区域曝光以致在所述半导体芯片上形成所要求的图形。
2、根据权利要求1所述的电子束曝光方法,其特征在于所述的每个子条带区域的宽度是根据在所述每个子条带区域中图形密度确定的。
3、根据权利要求1所述的电子束曝光方法,其特征在于每个所述子条带区域是根据在做底图形照射期间用于照射用的子条带区域加以修改。
4、根据权利要求1所述的电子束曝光方法,其特征在于它还包括步骤将半导体芯片分成单位网孔阵列和在所述的每个单位网孔中计算图形密度等级。
5、根据权利要求4所述的电子束曝光方法,其特征在于每个所述子条带区域至少包括一个所述单元网孔。
6、根据权利要求5所述的电子束曝光方法,其特征在于它还包括根据图形密度和宽度控制平台速度的步骤。
7、根据权利要求1所述的电子束曝光方法,其特征在于所述最大宽度是每个所述子条带区域宽度的整数倍。
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