[发明专利]半导体马赫－陈德尔调制器

权利要求书

1.一种半导体马赫-陈德尔调制器，包括：一衬底和一覆盖在所述衬底上的合成波导；所述合成波导包括一输入光波导；将所述输入的光波导分支的第一和第二输入分支光波导；分别与所述第一和第二输入分支光波导光耦合的第一和第二调制器臂波导；分别与所述第一和第二调制器臂波导光耦合的第一和第二输出分支光波导；和一输出光波导，其与所述第一和第二输出分支光波导光耦合；每个所述波导具有一第一导电类型的第一覆盖层和第二导电类型的第二覆盖层，以及一夹在所述第一覆盖层与所述第二覆盖层之间的光导层；所述第一调制器臂波导具有一与其所述第二覆盖层电连接的第一电极，和一与其所述第一覆盖层及所述第二调制器臂波导的所述第二覆盖层电连接的第二电极；所述第二调制器臂波导具有一与其所述第一覆盖层电连接的第三电极。

2.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述第一和第三电极分别保持在第一和第二电位，而所述第二电极被施加一驱动电压以进行所述调制器臂波导的推挽调制。

3.一种如权利要求2所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述驱动电压在所述第一电位和所述第一电位与所述第二电位的大致平均值之间变化。

4.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于从所述衬底看，所述第一覆盖层、所述光导层和所述第二覆盖层的次序在所述第一调制器臂波导和所述第二调制器臂波导之间是相反的。

5.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述光导层是一多量子阱层。

6.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述第一和第二调制器臂波导的每一个还有一盖层与所述第二覆盖层电连接。

7.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述第一和第二导电类型分别是n型和p型，所述第一和第二电位分别是负电位和地电位。

8.一种制造半导体马赫-陈德尔调制器的方法，包括如下步骤：形成一个覆盖在衬底上的合成台面结构，所述合成台面结构包括一输入光波导、将所述输入的光波导分支的第一和第二输入分支光波导，分别与所述第一和第二输入分支光波导光耦合的第一和第二调制器臂波导，分别与所述第一和第二调制器臂波导光耦合的第一和第二输出分支光波导，一与所述第一和第二输出分支光波导光耦合的输出光波导，每个所述波导依次具有一第一导电类型的第一覆盖层、一光导层、一第二导电类型的第二覆盖层，并形成一与所述第一调制器臂波导的所述第二覆盖层电连接的第一电极，和一与所述第一调制器臂波导的所述第一覆盖层及所述第二调制器臂波导的所述第二覆盖层电连接的第二电极；和一与所述第二调制器臂波导的所述第一覆盖层电连接的第三电极。

9.如权利要求8所述的方法，还包括如下步骤：在所述衬底上连续地形成所述第一覆盖层、所述有源层和所述第二覆盖层，并选择性地刻蚀所述第二覆盖层、所述有源层和所述第一覆盖层的顶部以形成所述合成台面结构。

10.如权利要求9所述的方法，还包括在所述选择性蚀刻的步骤之后，选择性地去除所述第一覆盖层的底部，从而为所述第一和第二调制器臂波导的每一个的所述第一覆盖层留下接触区的步骤。

11.如权利要求8所述的方法，还包括除所述第二调制器臂波导之外连续性地形成所述合成台面结构的所述第一覆盖层、所述有源层和所述第二覆盖层，并为所述第二调制器臂波导连续性地生长所述第二覆盖层、所述有源层和所述第一覆盖层的步骤。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述生长步骤受选择性生长技术的影响。

13.如权利要求10所述的方法，还包括为所述第一调制器臂波导的所述第一覆盖层形成接触区域和为所述第二调制器臂波导的所述第二覆盖层形成接触区域的步骤。