[发明专利]透明磁记录介质

权利要求书

1、一种透明磁记录介质，该介质在基片上至少有一层含有磁性粒子的磁记录层，该介质在所述的至少一层磁记录层的一个侧表面上包含高度不小于0.001μm、但小于0.1μm、密度为1×10²个/100μm²～1×10⁵个/100μm²的隆起，以及0.1μm～0.5μm、密度为1个/100μm²～200个/100μm²的隆起。

2、权利要求1所要求的透明磁记录介质，在磁记录层或位于所述磁记录层之外的层中的至少一层中，含有至少两种无机粒子和/或有机高分子粒子，其平均初级粒径互不相同，其中，至少一种无机粒子和/或有机高分子粒子的平均初级粒径为0.01μm～0.2μm，而另外的粒子的平均初级粒径为大于0.4μm、但不大于1.5μm。

3、权利要求2所要求的透明磁记录介质，其中，含有无机粒子和/或有机高分子粒子的层的厚度为具有最大平均初级粒径的平均粒径的50％或50％以上，但小于或等于90％。

4、权利要求2所要求的透明磁记录介质，其中，平均初级粒径为0.01μm～0.2μm的无机粒子和/或有机粒高分子粒子是α-氧化铝、γ-氧化铝、θ-氧化铝、二氧化硅、胶态二氧化硅、二氧化钛粒子、聚(甲基丙烯酸甲酯)或聚苯乙烯。

5、权利要求4所要求的透明磁记录介质，其中，平均基本粒子大小为0.1μm～1.0μm的α-氧化铝被作为研磨剂添加。

6、权利要求5所要求的透明磁记录介质，其中，所述的α-氧化铝的平均初级粒子大小为0.5μm～1.0μm。

7、权利要求5所要求的透明磁记录介质，其中，磁性粒子平均大小为0.03μm～0.35μm，且其中，在磁记录层一侧所涂布的所有层的雾度小于9％。

8、权利要求2所要求的透明磁记录介质，其中，平均初级粒径大于0.4μm，但不大于1.5μm的粒子为球形有机高分子粒子。

9、权利要求8所要求的透明磁记录介质，其中，平均初级粒径为0.1μm～1.0μm的α-氧化铝被作为研磨剂添加。

10、权利要求9所要求的透明磁记录介质，其中，所述的α-氧化铝的平均基本粒子大小为0.5μm～1.0μm。

11、权利要求9所要求的透明磁记录介质，其中，磁性粒子的平均大小为0.03μm～0.35μm，并且其中，在磁记录层一侧所涂布的所有层的雾度小于9％。

12、权利要求8所要求的透明磁记录介质，其中，所述的含有无机粒子和/或有机高分子粒子的层为叠加在磁性层之上的透明垫层。

13、权利要求12所要求的透明磁记录介质，其中，叠加在含有无机粒子和/或有机高分子粒子的磁性层之上的透明垫层含有1×10^-12mg/μm³～3×10^-10mg/μm³量的磁性粒子。

14、权利要求2所要求的透明磁记录介质，其中，平均初级粒径大于0.4μm、但不大于1.5μm的无机和/或有机高分子粒子为二氧化硅、聚硅氧烷粒子、甲基丙烯酰基树脂或三聚氰胺树脂的粒子。

15、权利要求1所要求的透明磁记录介质，其中，在25℃、60％RH、负荷16kgf/cm²、测量波长0.5μm时，透明磁记录介质的光学接触指数不大于70％。

16、权利要求1所要求的透明磁记录介质，其中，两种所述隆起的高度差大约不小于0.05μm。

17、一种卤化银摄影光敏材料，在其片基的一侧至少具有一个光敏卤化银乳剂层，其中，这一侧是与提供有透明磁记录层的另一侧相反的，并且，其中，其上提供有磁记录层的卤化银摄影光敏材料的表面上含有高度不小于0.001μm但小于0.1μm、密度为1×10²个/100μm²～1×10⁵个/100μm²的隆起和高度在0.1μm～0.5μm的，密度为1个/100μm²～200个/100μm²的隆起。