[发明专利]具光检测电路的光电集成电路及其制造方法

权利要求书

1．一种具光检测电路和的光电集成电路，其特征在于是结合光检测电路于集成电路的光电集成电路，其光检测电路为半导体元件的光电二极管，其至少包括：

第一层金属，用以作为该光检测电路之一电极；

检光半导体薄膜，沉积于第一层金属，用以侦测光讯号；

第二层金属，用以作为该光检测电路的另一电极，并与第一层金属相对。

2．如权利要求1所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于第二层金属可为指状、多角形、圆形。

3．如权利要求1、2所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于第二层金属为一般集成是路制造方法所用的金属。

4．如权利要求3所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于第二层金属为透光性金属。

5．如权利要求1所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于检光半导体薄膜为非晶硅(a-si)、或者非晶、或者硅化、或者碳化硅、或者砷化、或者磷化受光性半导体元件。

6．如权利要求1所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于集成电路是双极性电晶体制造方法、或是接面场效由晶体制造方法、或者金氧半场效电晶体制造方法所制。

7．如权利要求1所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于光检测电路的第一层金属与第二层金属二个电极，可同一金属制造方法制成。

8．一种具光检测电路的光电集成电路制造方法，其初始的步骤与一般IC制造方法相同，其特征在于做到第一层金属之后，必须接着光检测电路制造方法，先沉积检光半导体薄膜，再经由一般IC制造方法技术印刻、蚀刻步骤，之后再沉积第二层金属，便可接回一般IC制造方法步骤。

9．如权利要求8所述的具光检测电路的光电集成电路制造方法，其特征在于后续制造方法覆盖在光检测电路的薄膜必须是高透光度材质，才不致影响光检测电路的动作。

10．一种具光检测电路的光电集成电路，其特征在于光电集成电路是将光检测电路结合于集成电路，其光检测电路为半导体元件的光电二极管，其结构包括：

第一金属，用以作为该光检测电路之一电极；

检光半导体薄膜，用以侦测光讯号；

第二金属，用以作为该光检测电路的另一电极；

承上所述，其光检测电路的第一金属与第二金属二个电极，在同一金属平面及同一金属制造方法制成。

11．如权利要求10所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于金属电极可为指状、多角形、圆形。

12．如权利要求10、11所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于金属电极为一般集成电路制造方法所用的金属。

13．如权利要求12所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于金属电极为透光性金属。

14．如权利要求10所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于检光半导体薄膜为非晶硅(a-si)、或者非晶、或者硅化、或者碳化硅、或者砷化、或者磷化受光性半导体元件。

15．如权利要求10所述的具光检测电路的光电集成电路，其特征在于该集成电路是为双极性电晶体制造方法、或是接面场效由晶体制造方法、或者金氧半场效电晶体制造方法所制。

16．一种具光检测电路的光电集成电路制造方法，其初始的步骤与一般IC制造方法相同，特征在于其必须先预留光检测电路的位置，当进行到金属层前的接触窗制造方法时，沉积检光半导体材，形成检光半导体薄膜，再经印刻、蚀刻等制造方法技术后，形成光检测电路之后，再沉积金属层，此金属层为一般IC用金属。

17．如权利要求16所述的具光检测电路的光电集成电路制造方法，其特征在于金属层可使用高透光性金属。

18．如权利要求16所述的具光检测电路的光电集成电路制造方法，其特征在于进行到金属层时，可先沉积检光半导体薄膜，再做接触窗制造方法。