[发明专利]接触窗及接触窗蚀刻方法无效
| 申请号： | 98102315.0 | 申请日： | 1998-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1237780A | 公开（公告）日： | 1999-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王方;陈正培 | 申请（专利权）人： | 华隆微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 文琦 |
| 地址： | 台湾省新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 蚀刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1．一种用于集成电路元件的接触窗蚀刻方法，包含下列步骤：
a)非等向蚀刻，形成第一蚀刻深度；
b)等向蚀刻，形成第二蚀刻深度；
c)非等向蚀刻，形成第三蚀刻深度；
其中，上述第三蚀刻深度与由上述第一、第二及第三蚀刻深度所形成的总蚀刻深度的比值小于0.5。
2．如权利要求1所述的接触窗蚀刻方法，其中所述的比值大于集成电路元件的复晶矽夹层厚度与上述总蚀刻深度的比值。
3．如权利要求1所述的接触窗蚀刻方法，其中还包含步骤d)以低氧回火使接触窗上方转角圆滑化。
4．如权利要求1所述的接触窗蚀刻方法，其中所述的集成电路元件为0.35～0.6微米级。
5．一种用权利要求1至4中任一项蚀刻方法所形成的集成电路元件的接触窗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
