[发明专利]一种半导体器件及制造该半导体器件的方法

权利要求书

1·一种制作半导体器件的方法，其特征在于，它包含以下步骤：

(a)在一个半导体基片上形成具有一个源/漏区和一个栅电极的晶体管；

(b)至少是间接地在所述基片上形成一个电容器，其中所述电容器具有一个电容器上置电极、一个电容器下置电极、和置于所述电容器上置电极与所述电容器下置电极之间的一个金属氧化物电介质膜；

(c)在所述电容器上形成一个绝缘膜，使所述绝缘膜覆盖所述电容器；

(d)形成一个穿过所述绝缘膜通达所述晶体管的第一接触孔；

(e)在所述绝缘膜上和所述第一接触孔的内表面上形成含有一层附着金属膜和一层第一阻挡膜的一个复合膜；

(f)形成一个穿过所述附着金属膜、所述第一阻挡膜和所述绝缘膜通达所述电容器的第二接触孔；

(g)在所述复合膜上和所述第二接触孔的内表面上形成一个第二阻挡膜；及

(h)在所述第二阻挡膜上形成一个金属连线膜。

2·如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述它还包括以下步骤：

(i)对所述附着金属膜、所述第一阻挡膜、所述第二阻挡膜、和所述金属连线膜进行刻蚀，形成一个第一连线层。

3·如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(f)还包括以下步骤：

(f1)通过一种使用不含氢的等离子气的刻蚀工艺形成所述第二接触孔。

4·如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中所述第二接触孔穿透所述电容器上置电极和所述电容器下置电极中的一个。

5·如权利要求1所述的方法，其特征在于，一个氧化硅层置于所述绝缘膜和所述晶体管之间，且其中所述步骤(d)还包括以下步骤：

(d1)在第一刻蚀阶段用一种不含氢的等离子气对所述氧化硅层进行刻蚀；

(d2)在所述第一刻蚀阶段之后的第二刻蚀阶段，将所述不含氢的等离子气变成一种含有氢且对所述晶体管具有高度选择性的等离子气；及

(d3)在所述第二刻蚀阶段，用所述具有高度选择性的等离子气进行刻蚀，将所述第一接触孔延伸到至少一个电连接于所述晶体管的导电层。

6·如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述至少一个所述导电层含有所述晶体管的所述源/漏区。

7·如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述至少一个所述导电层含有一个连接于所述晶体管的所述源/漏区的导电膜。

8·如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述至少一个所述导电层含有所述晶体管的所述栅电极。

9·如权利要求1所述的方法，其特征在于，它还进一步包括以下步骤：

(i)在所述步骤(d)之后和所述步骤(f)之前进行一个酸清洗步骤。

10·如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤(f1)又进一步包括以下步骤：

(f1a)通过一种刻蚀工艺形成所述第二接触孔，其中所述刻蚀工艺使用形成于所述附着金属膜、所述第一阻挡膜和所述绝缘膜之上的一个光致抗蚀剂层；及

(f1b)将所述光致抗蚀剂层暴露于氧根，使所述光致抗蚀剂层变成灰分。

11·一种制作半导体器件的方法，其特征在于，它包含以下步骤：

(a)在一个半导体基片上形成具有一个源/漏区和一个栅电极的晶体管；

(b)至少是间接地在所述基片上形成一个电容器，其中所述电容器具有一个电容器上置电极、一个电容器下置电极、和置于所述电容器上置电极与所述电容器下置电极之间的一个金属氧化物电介质膜；

(c)在所述电容器上形成一个绝缘膜，使所述绝缘膜覆盖所述电容器；

(d)形成一个穿过所述绝缘膜通达所述晶体管的第一接触孔；

(e)在所述绝缘膜上和所述第一接触孔的内表面上形成含有一层附着金属膜和一层第一阻挡膜的一个复合膜；

(f)形成一个穿过所述附着金属膜、所述第一阻挡膜和所述绝缘膜通达所述电容器的第二接触孔，其中所述步骤(f)在所述步骤(d)之后进行；

(g)在所述复合膜上和所述第二接触孔的内表面上形成一个第二阻挡膜；

(h)在所述第二阻挡膜上形成一个金属连线膜；及

(i)对所述附着金属膜、所述第一阻挡膜、所述第二阻挡膜、和所述金属连线膜进行刻蚀，形成一个第一连线层。