[发明专利]核径迹防伪膜的制造方法无效

专利信息
申请号: 98102546.3 申请日: 1998-06-26
公开(公告)号: CN1201962A 公开(公告)日: 1998-12-16
发明(设计)人: 何向明;严玉顺;张泉荣;万春荣;姜长印 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G09F3/02 分类号: G09F3/02
代理公司: 清华大学专利事务所 代理人: 罗文群
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 径迹 防伪 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种核径迹防伪膜的制造方法,包括:

(1)选用厚度为5-25μm的透明塑料薄膜为原材料,利用核反应堆产生的中子轰击铀-235靶,裂变产生的碎片照射塑料薄膜,以产生核径迹,反应堆功率为1-5000千瓦,辐照时间为0.1-300秒,或利用重离子加速器产生的重离子来辐照塑料薄膜,辐照时间为0.5-200秒,核径迹密度为104-108/cm2

(2)利用紫外光对辐照过的塑料薄膜进行再照射,紫外线灯功率为100-6000瓦,灯与薄膜的距离为5-50cm,照射时间为1秒-18分钟;其特征在于还包括:

(3)利用印刷机将抗蚀刻剂按图案要求在塑料薄膜的正、反面同一位置上对正印刷,抗蚀刻剂为聚酰胺树脂、聚氯乙烯树脂或氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚树脂高分子聚合物溶于乙醇、甲苯、二甲苯、异丙醇、丁醇、苯丁醇、环己酮、丙酮、醋酸丁酯、醋酸异丁酯或醋酸乙酯溶剂所得的溶液;

(4)利用化学试剂对塑料薄膜进行选择性蚀刻,蚀刻剂为NaOH(6-8M)、KOH(6-8M)或H2SO4(6-16M),蚀刻时间为1-180分钟,蚀刻温度为70-90℃,蚀刻出清晰图案后,洗涤晾干,形成核径迹防伪膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98102546.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top