[发明专利]一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法

权利要求书

1、一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法，其特征是包括如下步骤：

1)在多晶硅结构制备过程中，同时形成与衬底相连的多晶硅支柱(13)；

2)随后，利用氮化硅薄膜作为多晶硅结构的掩膜，再用光刻胶作为刻腐蚀孔的掩膜，刻出腐蚀孔，去胶后进行牺牲层腐蚀，清洗干燥后利用已有的氮化硅掩膜，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱去除，最后干法刻除氮化硅掩膜；或利用光刻胶作为第一次掩膜，刻出腐蚀孔，去胶并进行牺牲层腐蚀，清洗甩干后，再用光刻胶作为第二次掩膜，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱(13)去除。

2、按照权利要求1所述的一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法，其特征是其中的分别利用氮化硅薄膜和光刻胶作为两次掩膜的工艺包括如下步骤：

1)制作多晶硅底电极(4)；

2)制作LPCVD(低压化学气相淀积)二氧化硅底电极保护层(8)及LPCVD氮化硅底电极保护层(9)；

3)LPCVD PSG(磷硅玻璃)牺牲层(5)淀积，以正光刻胶作掩膜干法刻蚀形成接触孔与多晶硅支柱孔；        

4)LPCVD多晶硅(6)淀积，并离子注入与退火，形成掺杂多晶硅，在接触孔处和多晶硅支柱孔处淀积的多晶硅在随后的加工工艺中起以接触电极和多晶硅支柱(13)的作用；

5)淀积LPCVD氮化硅掩膜(10)与LPCVD二氧化硅保护层(11)；

6)光刻LPCVD氮化硅掩膜(10)与LPCVD二氧化硅保护层(11)，形成刻蚀多晶硅结构层的掩膜，同时露出牺牲层腐蚀孔(14)与刻蚀多晶硅支柱(13)的孔；

7)再在氮化硅和二氧化硅掩膜上匀胶光刻形成干法刻蚀形成牺牲层腐蚀孔(14)的正光刻胶掩膜(12)；

8)干法刻蚀多晶硅直到牺牲层，形成腐蚀牺牲层的腐蚀孔，随后去胶并进行HF酸牺牲层腐蚀5-15分钟，直至完全去除磷硅玻璃，腐蚀完后，可用去离子水清洗，并甩干；

9)利用已有的LPCVD氮化硅掩膜(10)，干法刻蚀出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱(13)刻除；

10)干法刻蚀LPCVD氮化硅掩膜(10)。

3、按照权利要求1所述的一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法，其特征是其中的利用光刻胶作为两次掩膜的工艺包括如下步骤：

1)制作多晶硅底电极(4)；

2)制作LPCVD二氧化硅底电极保护层(8)及LPCVD氮化硅底电极保护层(9)，光刻并刻蚀此复合保护层，形成接触孔；

3)LPCVD PSG牺牲层(5)淀积，以胶作掩膜干法刻蚀形成接触孔与多晶硅支柱孔；

4)LPCVD多晶硅(6)淀积，并离子注入与退火，形成掺杂多晶硅，在接触孔处和多晶硅支柱孔处淀积的多晶硅随后的加工工艺中起以接触电极和多晶硅支柱(13)的作用；

5)匀胶光刻形成干法刻蚀多晶硅形成牺牲层腐蚀孔(14)的光刻胶掩膜(12)；

6)干法刻蚀多晶硅，直到刻至牺牲层磷硅玻璃，形成腐蚀牺牲层的孔，去胶并进行HF酸牺牲层腐蚀5-15分钟，把所有的牺牲层去掉，腐蚀完后，可用去离子水清洗，并甩干；

7)在牺牲层腐蚀后的多晶硅结构层上光刻，形成干法刻蚀形成多晶硅结构的正光刻胶掩膜(15)；

8)干法刻蚀多晶硅，刻蚀出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱(13)刻除，并去胶。 

4、按照权利要求2所述的一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法，其特征是多晶硅支柱(13)的厚度与LPCVD多晶硅(6)的厚度相同。

5、按照权利要求2所述的一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法，其特征是LPCVD氮化硅掩膜(10)的厚度为1000-2000埃，干法刻蚀多晶硅形成牺牲层腐蚀孔的正光刻胶掩膜(12)的厚度为10000-20000埃。

6、按照权利要求3所述的一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法，其特征是牺牲层腐蚀后需匀胶。

7、按照权利要求3所述的一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法，其持征是干法刻蚀多晶硅形成牺牲层腐蚀孔的正光刻胶掩膜(12)的厚度为10000-20000埃，干法刻蚀形成多晶硅结构的正光刻胶掩膜(15)厚度为20000-40000埃。