[发明专利]光波导器件的生产方法

权利要求书

1、一种生产具有下包层、光波导及上包层的光波导器件的方法，其特征在于该方法包含如下步骤：

(a)在平面基片上形成下包层；

(b)在下包层上形成具有比下包层低的折射率的光波导层；

(c)在光波导层上形成上形成具有比光波导层低的折射率的上包层；

(d)在上包层上形成预定的光波导图形；

(e)根据光波导图形蚀刻上包层及光波导层；及

(f)在蚀刻形成的结构上形成与上包层具有相同材料的材料层。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成下包层的材料与基片相同。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，下包层、光波导层及上包层由在工作波长处具有低的传输损耗的光学聚合物形成。

4、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，下包层、光波导层及上包层由在工作波长处具有低的传输损耗的光学聚合物形成。

5、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，下包层、光波导层及上包层通过旋涂沉积。

6、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，下包层、光波导层及上包层通过旋涂沉积。

7、根据权利要求4所述的方法，其特征在于还包含在沉积每层后烘干所得结构以提高膜质量的步骤。

8、根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(d)还包含如下步骤：

(d1)在上包层上形成比光波导层更强的抗干蚀性的材料薄膜；

(d2)在材料薄膜上沉积光刻胶；

(d3)校准在步骤(d2)所得结构上具有光波导图形的光掩膜并通过光掩膜UV-曝光光刻胶；

(d4)在显像溶液中处理光刻胶以显像光刻胶图形；及

(d5)通过干刻蚀材料薄膜利用作为蚀刻掩膜的光刻胶图形形成作为光波导图形的掩膜图形。

9、根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤(d)还包含如下步骤：

(d1)在上包层上形成比光波导层更强的抗干蚀性的材料薄膜；

(d2)在材料薄膜上沉积光刻胶；

(d3)校准在步骤(d2)所得结构上具有光波导图形的光掩膜并通过光掩膜UV-曝光光刻胶；

(d4)在显像溶液中处理光刻胶以显像光刻胶图形；及

(d5)通过干刻蚀材料薄膜利用作为蚀刻掩膜的光刻胶图形形成作为光波导图形的掩膜图形。

10、根据权利要求8所述的方法，其特征在于具有比光波导层有更强抗干蚀性的材料薄膜是从由聚合物、金属、二氧化硅及硅的薄膜所构成的组合中选出的。

11、根据权利要求9所述的方法，其特征在于具有比光波导层有更强抗干蚀性的材料薄膜是从由聚合物、金属、二氧化硅及硅的薄膜所构成的组合中选出的。

12、根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(d)包含如下步骤：

(d11)在上包层上沉积光刻胶；

(d21)将具有预定光波导图形的光掩膜与步骤(d11)所形成的结构校准并通过光掩膜UV-曝光光刻胶；

(d31)在显像液中处理光刻胶以显像光刻胶图形；

(d41)在光刻胶及上包层上沉积金属薄膜；及

(d51)通过将子步骤(d41)所形成的结构浸入用于脱离的有机溶剂中形成作为光波导图形的掩膜图形。

13、根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤(d)包含如下步骤：

(d11)在上包层上沉积光刻胶；

(d21)将具有预定光波导图形的光掩膜与步骤(d11)所形成的结构校准并通过光掩膜UV-曝光光刻胶；

(d31)在显像液中处理光刻胶以显像光刻胶图形；

(d41)在光刻胶及上包层上沉积金属薄膜；及

(d51)通过将子步骤(d41)所形成的结构浸入用于脱离的有机溶剂中形成作为光波导图形的掩膜图形。

14、根据权利要求12所述的方法，其特征在于金属薄膜由铬(Cr)构成。

15、根据权利要求13所述的方法，其特征在于金属薄膜由铬(Cr)构成。

16、根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(e)中，下包层被部分或完全蚀刻。