[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括

在半导体基板表层部分上形成由杂质扩散区组成的漏极区及源极区的MOS晶体管的步骤，

在形成所述MOS晶体管的步骤后，在所述半导体基板上形成绝缘膜的步骤，

在所述绝缘膜上有选择地对接触孔进行开口的步骤，

将下端部与所述MOS晶体管的所述漏极区及所述源极区内的某一区域接触的电容接触接点埋入并形成于所述接触孔中的步骤，

在形成所述电容接触接点的步骤后，在所述绝缘膜上形成具有下部电极、强电介质膜及上部电极的强电介质电容的步骤，

形成连接所述强电介质电容的所述上部电极与所述电容接触接点上面之间的布线的步骤。

2.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括

在半导体基板表层部分上形成由杂质扩散区构成的漏极区及源极区的MOS晶体管的步骤，

在形成所述MOS晶体管的步骤后，在所述半导体基板上形成第1绝缘膜的步骤，

在所述第1绝缘膜上对露出所述MOS晶体管的所述漏极区及所述源极区内的某一区域的第1接触孔进行开口的步骤，

在所述第1绝缘膜上形成下端部通过所述第1接触孔与所述MOS晶体管的所述漏极区及所述源极区内的所述某一区域接触的位线的步骤，

在所述第1绝缘膜上对露出所述MOS晶体管的所述漏极区及所述源极区内其他区域的第2接触孔进行开口的步骤，

将下端部与所述MOS晶体管的所述漏极区及所述源极区内的所述其他区域接触的第1电容接触接点埋入并形成于所述第2接触孔中的步骤，

在所述第1绝缘膜及所述位线上形成第2绝缘膜的步骤，

在位于所述第2绝缘膜的所述第2接触孔的上方处对第3接触孔进行开口的步骤，

将下端部与所述第1电容接触接点上端部连接的第2电容接触接点埋入并形成于所述第3接触孔中的步骤，

在形成所述第2电容接触接点的步骤后，在所述第2绝缘膜上形成具有下部电极，强电介质膜及上部电极的强电介质电容的步骤，

形成连接所述强电介质电容的所述上部电极与所述第2电容接触接点的上端部之间的布线的步骤。

3.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，形成所述第3接触孔的步骤与形成所述第2接触孔的步骤可以连续进行，形成所述第1电容接触接点的步骤与形成所述第2电容接触接点的步骤可以作为一个整体进行。

4.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在将所述第2电容接触接点埋入并形成的步骤后，在形成所述强电介质电容的步骤前，还具有在所述第2绝缘膜上淀积第3绝缘膜的步骤，

在形成所述强电介质电容的步骤后，在形成所述布线的步骤前，还具有用于在所述第3绝缘膜上对所述布线进行连接的第4接触孔进行开口的步骤。

5.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，形成所述布线的步骤含有在对所述第2电容接触接点的所述上端部进行刻蚀后淀积布材料并生成图形的步骤。

6.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在将所述第2电容接触接点埋入并形成的步骤后，在形成所述强电介质电容的步骤前，还具有至少采用氢系气体和氮系气体中一种气体进行烧结的步骤。

7.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，形成所述强电介质电容的步骤，在淀积了所述下部电极及所述强电介质膜后，含有在所述强电介质膜上淀积第4绝缘膜的步骤及在所述第4绝缘膜有选择地对开口部分进行开口的步骤，在所述开口部分及所述第4绝缘膜上淀积所述上部电极形成用的电极材料后，含有利用去除所述第4绝缘膜上的所述电极材料形成所述上部电极的步骤。

8.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，形成所述第2电容接触接点的步骤，在所述第2绝缘膜上及所述第2接触孔内部淀积高熔点金属材料后，含有去除所述第2绝缘膜上的所述高熔点金属材料的步骤。