[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括同一基片上的象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路，

其中象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路包括多个TFT，每个TFT皆具有结晶硅膜的有源层，和60-100mv/十位的亚阈值系数，及

其中根据各电路所需的特性，包括在各电路中的多个TFT的沟道形成区由生长距离彼此不同的各横向生长区制成。

2.一种半导体器件，包括同一基片上的象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路，

其中象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路包括多个TFT，每个TFT皆具有结晶硅膜的有源层，和60-100mv/十位的亚阈值系数，

其中根据各电路所需的特性，包括在各电路中的多个TFT的沟道形成区由生长距离彼此不同的各横向生长区制成，及

其中某些横向生长区将变成构成逻辑电路和/或驱动电路的TFT的沟道形成区，另一些将变成构成象素矩阵电路的TFT的沟道形成区，而且前者的生长距离小于后者的生长距离。

3.一种半导体器件，包括同一基片上的象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路，

其中象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路包括多个TFT，每个TFT皆具有结晶硅膜的有源层，和60-100mv/十位的亚阈值系数，及

其中根据各电路所需的特性，包括在各电路中的多个TFT的沟道形成区由生长距离彼此不同的各横向生长区制成，及

其中多个TFT的沟道长度与横向生长区的生长距离有关。

4.一种半导体器件，包括同一基片上的象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路，

其中象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路包括多个TFT，每个TFT皆具有结晶硅膜的有源层，和60-100mv/十位的亚阈值系数，及

其中包括在各电路中的多个TFT的至少沟道形成区的每个皆由多个条形晶体区制成，及

其中在多个条形晶体区内部相邻晶体区的所有边界或基本所有边界处，多个晶体区中的各原子连续排列，没形成晶格缺陷。

5.根据权利要求4的器件，其特征在于，晶体区包括氢或卤族元素，以抵消边界处不能连续排列的原子。

6.根据权利要求1-4任一项的器件，其特征在于，多个TFT的至少沟道形成区的每一个皆由多个条形晶体区制成。

7.根据权利要求1-4任一项的器件，其特征在于，结晶硅膜由一种晶体结构体构成，所说晶体结构体中聚集了彼此平行生长的多个棒状或扁平棒状晶体。

8.根据权利要求1-4任一项的器件，其特征在于，在构成结晶硅膜的棒状或扁平棒状晶体内，晶格彼此连续连接，以便内部被当作用于载流子的单晶。

9.根据权利要求1-4任一项的器件，其特征在于，至少有源层的沟道形成区是本征的或基本为本征的区。

10.根据权利要求1-4任一项的器件，其特征在于，有源层包括选自Ni、Co、Fe、Sn、Pb、Pd、Pt、Cu、Au中的一种或多种元素，用作催化元素，以促使硅膜的结晶，催化元素的浓度不大于1×10¹⁷原子/cm³。

11.根据权利要求1-4任一项的器件，其特征在于，有源层包括选自Cl、F和Br中的一种或几种元素，这些元素的浓度为1×10¹⁵-1×10²⁰原子/cm³。

12.根据权利要求1-4任一项的器件，其特征在于，构成多个TFT的每一个的有源层和栅绝缘膜间的界面包括选自Cl、F和Br中的一种或几种元素，这些元素有较高浓度。

13.根据权利要求1-4任一项的器件，其特征在于，在多个TFT中，构成需不小于0.1GHz驱动频率的电路的TFT其沟道长度为0.25-0.7μm，构成需工作电压超过10V的电路的TFT其沟道长度为2-20μm。