[发明专利]微细图形形成材料以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种微细图形形成材料，其特征在于：

以一种水溶性树脂或2种以上上述水溶性树脂的混合物或2种以上上述水溶性树脂形成的共聚物作为主要成分，通过酸的存在产生交联反应而形成。

2.如权利要求1记述的微细图形形成材料，其特征在于：

作为上述水溶性树脂，包括含有聚乙烯亚胺，聚环氧乙烷，苯乙烯-无水马来酸共聚物、聚乙烯胺、噁唑啉基的水溶性树脂、水溶性蜜胺树脂、水溶性尿素树脂、醇酸树脂、磺胺树脂中的1种，或者它们2种以上的混合物，或者主要成分为它们的盐。

3.一种微细图形形成材料，其特征在于：

以一种或者两种以上的水溶性交联剂的混合物为主要成分，通过酸的存在产生交联反应而形成。

4.如权利要求3记述的微细图形形成材料，其特征在于：

作为上述水溶性交联剂，以蜜胺，包括烷氧基亚甲基蜜胺的蜜胺衍生物，尿素衍生物，苯胍胺，甘脲中的一种或者它们中的两种以上的混合物为主要成分。

5.如权利要求4记述的微细图形形成材料，其特征在于：

作为上述尿素衍生物，以尿素，烷氧基亚甲基尿素，N-烷氧基亚甲基尿素，乙撑脲，乙撑脲羧酸中的一种或者它们的两种以上的混合物为主要成分。

6.一种微细图形形成材料，其特征在于：

作为主要成分，包括一种或多种水溶性树脂和一种或多种水溶性交联剂的混合物，在酸存在的情况下发生交联反应而形成。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括

用第1抗蚀剂在半导体衬底上形成第1抗蚀剂图形，在该第1抗蚀剂图形上用酸性气体实施表面处理、或进行加热处理，曝光以及曝光和加热处理的工序；

在上述第1抗蚀剂图形上通过酸的存在形成产生交联反应的第2抗蚀剂的工序；

通过供给来自上述第1抗蚀剂图形的酸在上述第2抗蚀剂中的连接到上述第1抗蚀剂图形的部分上形成交联膜的处理工序；

剥离上述第2抗蚀剂的非交联部分形成第2抗蚀剂图形的工序；以该第2抗蚀剂为掩模刻蚀上述半导体衬底的工序。

8.如权利要求7记述的半导体装置制造方法，其特征在于：

作为上述第1抗蚀剂，使用以酚醛树脂和萘醌叠氮基系列感光剂的混合物为主要成分的抗蚀剂。

9.如权利要求7记述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述第1抗蚀剂，使用具有产生酸的机制的化学放大型抗蚀剂。

10.如权利要求7记述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

作为上述第2抗蚀剂，使用上述权利要求1至权利要求6中的任一项记述的微细图形形成材料。

11.如权利要求7记述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

作为上述第2抗蚀剂，使用上述权利要求6中记述的微细图形形成材料，通过调整上述水溶性树脂和上述水溶性交联剂的混合量，控制和上述第1抗蚀剂的反应量。

12.如权利要求7记述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

通过调整作为上述第2抗蚀剂的成分的上述聚乙烯缩醛的缩醛化度，控制和上述第1抗蚀剂的反应量。

13.如权利要求7记述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

作为上述第2抗蚀剂的溶剂，使用水或者水溶性的混合溶剂。

14.如权利要求7记述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

通过把上述第1抗蚀剂图形和在上述第1抗蚀剂图形上形成的上述第2抗蚀剂图形进行加热处理，使得接近上述第1抗蚀剂图形的表面形成上述交联膜。

15.如权利要求7记述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

用电子束照射上述第1抗蚀剂图形的预定区域以外的区域，在该被电子束照射了的第1抗蚀剂图形上形成上述第2抗蚀剂，使得在上述第1抗蚀剂图形的上述预定区域内形成上述交联膜。

16.一种半导体装置，其特征在于：

是使用上述权利要求7记述的半导体装置的制造方法制造的。