[发明专利]带有低电阻连接电极半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98106430.2 | 申请日： | 1998-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1196570A | 公开（公告）日： | 1998-10-21 |
| 发明（设计）人： | 佐藤俊一郎;津田浩嗣 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 电阻 连接 电极 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法包括如下步骤：
(a)在半导体基片的表面上形成杂质扩散层；
(b)形成绝缘膜覆盖所说的杂质扩散层，而在所说的绝缘膜中形成开口延伸到所说的杂质扩散层；
(c)进行离子注入用于扰动暴露在开口底部中所说杂质扩散层的所说表面上和它附近的结晶度；而
(d)在开口中形成电极导体膜。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括下述步骤，根据离子注入，进行退火用于还原所说杂质扩散层的所说表面上的结晶度以激活杂质。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说半导体器件是其中一电极连接到一种p型杂质扩散层和一种电极连接到和p型杂质扩散层共存的n型杂质扩散层的半导体器件。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在离子注入中的注入的离子是不小于原子量24的原子离子或分子离子。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于在离子注入技术中注入的离子的原子种类或分子种类至少是从包括惰性氩气，硅和锗的组合中选择的一个部分。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于离子注入的剂量是选择不大于变化一个硅基片为非晶体的临界剂量，到不小于1/10的临界剂量的合适范围，在该范围中，暴露在开口中所说杂质的所说表面上和附近的结晶度被扰动而结晶度由后来的退火还原。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于选择离子注入的注入能量使离子投射范围比形成所说杂质扩散层的离子投射范围还要薄。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于退火是在形成所说的电极导体膜形成之前完成。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于退火是在形成所说的电极导体膜形成之后完成。
10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于退火是在不小于400℃和不大于600℃的温度下完成。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说的电极导体膜至少是从包括耐熔金属钛，钨和钽和金属氮化物，碳化物和硼化物至少之一的组合中选取一种构成的膜。
12.一个半导体器件的制造方法包括步骤如下：
(a)在半导体基片的表面上形成杂质扩散层；
(b)形成绝缘膜覆盖所说的杂质扩散层，而后在所说的绝缘膜形成开口延伸到所说杂质扩散层的表面；
(c)进行离子注入用于扰动暴露在开口底部所说杂质扩散层的所说表面和附近的结晶度；
(d)通过离子注入，进行退火，还原所说杂质扩散层的所说表面上的结晶度以激活杂质；而
(e)在开口中形成电极导体。
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