[发明专利]多模式介电谐振器和调节该谐振器的方法

权利要求书

1.一种多模式介电谐振器，包括：

由一个导体环绕的区域；和

由被组合成交叉形状的多个介电元件形成的组合介电块，所述组合介电块被置于所述区域内，

其中，与第一到第三谐振模式的其它两个谐振模式相比较在至少一个区域内电场分布集中程度较高的第一到第三谐振模式中的一个被设置为谐振频率设置目标，和第一和第三谐振模式包括沿由多个介电元件中的两个规定的平面的两个伪TM110模式，所述两个伪TM110模式具有不同的电场分布对称线，第二谐振模式包括一个沿相同平面的伪TM111模式，和其中，被设置成谐振频率设置目标的谐振模式的谐振频率通过在与具有电场分布高度集中区域对应的组合介电块的一部分中至少形成一个介电切割部分和将介电材料施加到与电场分布高度集中的区域对应的所述组合介电块的一部分上加以确定。

2.一种多模式介电谐振器，包括：

由一个导体围绕的区域；和

由多个组合成交叉形状的介电元件形成的组合介电块，所述组合介电块被置于所述区域内，

其中，与第一到第三谐振模式中的其它两个模式相比较在至少一个区域内不具有电场集中或集中程度较低的第一到第三谐振模式中的一个被设置成谐振频率设置目标，第一和第三谐振模式由沿所述多个介电元件中的两个规定的平面的两个TM110模式组成，两个伪TM110模式具有不同的电场分布对称线，第二谐振模式由一个沿相同平面的伪TM111模式组成，和其中，通过在与没有电场分布集中或电场分布集中程度较低的区域对应的所述组合介电块的区域中形成至少一个介电切割部分和将介电材料施加到与没有电场集中或集中程度较低的区域对应的所述组合介电块的部分上，被设置成谐振频率设置目标的谐振模式的谐振频率根据其它两个谐振模式的谐振频率确定。

3.一种多模式介电谐振器，包括：

由一个导体环绕的区域；和

由多个被组合成交叉形状的介电元件形成的组合介电块，所述组合介电块被置于所述区域内，

其中，通过在所述组合介电块的至少一个预定部分内形成至少一个介电切割部分和将介电材料施加到所述组合介电块的至少一个预定部分上以减少所述组合介电块围绕平行于第一谐振模式电场的对角线的对称程度来确定在第一到第三谐振模式中的第一和第二谐振模式之间的耦合程度，所述第一和第三谐振模式由沿所述多个介电模式中的两个规定平面的两个伪TM110模式组成，所述两个伪TM110模式具有不同的电场分布对称线，第二谐振模式由沿相同平面的一个伪TM111模式组成。

4.一种多模式介电谐振器，包括：

由一个导体围绕的区域；和

由多个组合成交叉形状的介电元件形成的组合介电块，所述的组合介电块被置于所述区域内，

其中，通过在所述组合介电块的至少一个预定区域内形成至少一个介电切割部分和将介电材料施加到所述组合介电块的至少一个预定区域上以根据谐振频率特性引起所述多个介电元件中的两个的形状差形成所述组合介电块来确定第一到第三谐振模式中第一和第三谐振模式之间的耦合程度，第一和第三谐振模式由沿所述多个介电元件中的两个规定平面的两个伪TM110的模式组成，两个伪TM110模式具有不同的电场分布对称线，第二谐振模式由沿相同平面的一个伪TM111模式组成。

5.一种多模式介电谐振器，包括：

由一个导体围绕的区域；和

由多个组合成交叉形状的介电元件形成的组合介电块，所述的组合介电块被置于所述区域内，

其中，就沿所述多个介电元件中的两个所规定平面的两个伪TM110模式和一个伪TM111模式而言，两个伪TM110模式具有不同的电场分布对称线，通过在所述组合介电块中至少一个其中在伪TM110模式和伪TM111模式之间存在电场分布差的区域中形成至少一个介电切割部分和将介电材料施加到其中在伪TM110模式和伪TM111模式之间存在电场分布差的至少一个区域中的所述组合介电块的一部分上，伪TM110模式和伪TM111模式的谐振频率被彼此相关地确定。