[发明专利]偏转系统和用于偏转系统的偏转磁轭无效
申请号: | 98107010.8 | 申请日: | 1998-02-17 |
公开(公告)号: | CN1196568A | 公开(公告)日: | 1998-10-21 |
发明(设计)人: | 菱城秀夫;八代勉;渡边孝夫 | 申请(专利权)人: | 日本胜利株式会社 |
主分类号: | H01J29/76 | 分类号: | H01J29/76;H01J29/70 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨丽琴 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏转 系统 用于 | ||
1.一种用于偏转由CRT(阴极射线管)的电子枪发射的电子束的偏转系统,该偏转系统装在CRT上,位于CRT的有较小直径部分的管颈和有较大直径部分的锥体之间的位置上,包括:
在CRT的水平方向上偏转电子束的水平偏转线圈;
在CRT的垂直方向上偏转电子束的垂直偏转线圈;和
偏转磁轭,在锥体侧的一个端部有具有较大直径部分的圆锥形状,在管颈侧的另一端部有具有较小直径部分的圆锥形状,以便使偏转磁轭覆盖水平和垂直偏转线圈,偏转磁轭由加热固化的模压磁性材料制成,模压磁性材料包括包含树脂的粘合剂和用表面处理剂处理的磁性粉末,该表面处理剂包括有作为结构单元的氨基醌基团的化合物,氨基醌基团可从用公式(1)和(2)表示的一组氨基醌基团中选择
其中
Y:氢原子,具有选自直链、环链和支链中的至少一种的C1~C6烷基、芳烷基、苯基,
Z1:C2~C16亚烷基,亚苯基,亚芳烷基,烷芳烯基,-(CH2CH2-O)n-CH2-CH2-(n:整数1-50),和
Z2:具有选自直链和支链中的至少一种的C1~C6亚烷基。
2.如权利要求1所述的偏转系统,其特征在于,表面处理剂还包括环烷烃偶合剂。
3.如权利要求1所述的偏转系统,其特征在于,粘合剂还包括环烷烃偶合剂。
4.一种用于偏转由CRT(阴极射线管)的电子枪发射的电子束的偏转系统中使用的偏转磁轭,该偏转磁轭装在CRT上,位于CRT的管颈和锥体之间的部分上,其中偏转磁轭在锥体侧的一个端部上有具有较大直径部分的圆锥形状,在管颈侧的另一端部有具有较小直径部分的圆锥形状,以便使偏转磁轭覆盖水平和垂直偏转线圈,偏转磁轭由加热固化的模压磁性材料制成,模压磁性材料包括包含树脂的粘合剂和用表面处理剂处理的磁性粉末,该表面处理剂包括有作为结构单元的氨基醌基团的化合物,氨基醌基团可从用公式(1)和(2)表示的一组氨基醌基团中选择,其中
Y:氢原子,具有选自直链、环链和支链中的至少一种的C1~C6烷基、芳烷基、苯基,
Z1:C2~C16亚烷基,亚苯基,亚芳烷基,烷芳烯基,-(CH2CH2-O)n-CH2-CH2-(n:整数1-50),和
Z2:具有选自直链和支链中的至少一种的C1~C6亚烷基。
5.如权利要求4所述的偏转磁轭,其特征在于,表面处理剂还包括环烷烃偶合剂。
6.如权利要求4所述的偏转磁轭,其特征在于,粘合剂还包括环烷烃偶合剂。
7.如权利要求1所述的偏转系统,其特征在于,偏转磁轭较小直径部分和较大直径部分的厚度分别这样确定,使穿过偏转磁轭较小直径部分的磁通的工作磁通密度基本等于穿过较大直径部分的磁通的工作磁通密度。
8.如权利要求4所述的偏转磁轭,其特征在于,偏转磁轭较小直径部分和较大直径部分的厚度分别这样确定,使穿过偏转磁轭较小直径部分的磁通的工作磁通密度基本等于穿过较大直径部分的磁通的工作磁通密度。
9.如权利要求1所述的偏转系统,其特征在于,偏转磁轭在位于圆锥形状的圆锥表面上的各自四个对角线位置设有四个凸部,四个对角线位置径向对应于CRT的显示表面上一对对角线,四个凸部按这样的方式从较小直径部分延伸,即朝向较大直径部分逐渐减小各个凸部的高度,以便穿过偏转磁轭的磁通的磁通密度大致均匀穿过横跨垂直于管颈轴的偏转磁轭的截面。
10.如权利要求4所述的偏转磁轭,其特征在于,偏转磁轭在位于圆锥形状的圆锥表面上各自的四个对角位置上分别设有四个凸部,四个对角位置径向地对应于CRT的显示表面上的一对对角线,四个凸部按朝向较大直径部分逐渐减小各个凸部高度的方式从较小直径部分延伸,以便穿过偏转磁轭的磁通的磁通密度大致均匀地穿过垂直于管颈轴的偏转磁轭的截面。
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